攀枝花市已探明铁矿(主要是钒钛磁铁矿)71.8亿吨,占四川省探明铁矿资源储量的72.3%,是中国四大铁矿区之一;伴生钛资源储量占全国的93%,居世界;伴生钒资源储量占全国的63%,居世界第三。探明石墨资源储量全国第三。经过多年开发利用,全市钒钛磁铁矿保有资源储量66.4亿吨,其中伴生钛矿4.3亿吨,伴生钒矿1020.3万吨;钴查明资源储量2.7万吨,此外还伴生有铬、钪、镍、铜、铅、锌、锰、铂等多种稀贵金属;非金属矿产中,煤炭保有资源储量3.4亿吨,晶质石墨保有资源储量1555.2万吨,苴却石保有资源储量2077.5万吨,溶剂石灰岩保有资源储量3.4亿吨,冶金白云岩保有资源储量4743.5万吨,废旧碳化硅调剂,耐火粘土保有资源储量1209.8万吨,硅藻土保有资源储量1355.6万吨,花岗石保有资源储量8120万立方米。
攀枝花由于矿产比较丰富,所以攀钢等一些国有大型企业选择在这里建厂,攀枝花地区的冶炼行业较为发达,所以对碳化硅砖的需求量也比较大,每年攀枝花地区都会拆下大量的废旧碳化硅砖,巩义市金雨节能炉料有限公司常年回收攀枝花地区的废旧氮化硅砖,欢迎新老用户来电咨询与洽谈合作!
高压电瓷厂的废旧碳化硅夹具回收
高压电瓷是指一般额定电压在1~110kV以内的电瓷。应用于材料科学技术,无机非金属材料,陶瓷,传统陶瓷。
高压电瓷也属于陶瓷行业,在生产高压电瓷的时候,需要用到大量的碳化硅板和碳化硅夹具,金雨炉料常年回收电瓷厂产生的废旧碳化硅板和废旧碳化硅夹具,欢迎来电咨询与洽谈。
在生产高压电瓷的时候,一般都需要使用碳化硅的家具,碳化硅夹具既可以固定电瓷又可以当架子砖使用,所以在高压电瓷烧结窑炉中,会用到大量的碳化硅夹具。
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SiC电力电子器件中,SiC二极管实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品,废旧碳化硅厂商,美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。在日本,罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了SiC二极管。很多企业在开发肖特基势垒二极管(SBD)和JBS 结构二极管。目前,SiC二极管已经存在600V~1700V电压等级和50A电流等级的产品。
SiC 肖特基二极管能提供近乎理想的动态性能。做为单子器件,它的工作过程中没有电荷储存,东港市废旧碳化硅,因此它的反向恢复电流仅由它的耗尽层结电容造成,其反向恢复电荷以及其反向恢复损耗比Si超快恢复二极管要低一到两个数量级。更重要的是,和它匹配的开关管的开通损耗也可以得到大幅度减少,因此提高电路的开关频率。另外,它几乎没有正向恢复电压,因而能够立即导通,不存在双极型器件的开通现象。在常温下,其正态导通压降和Si超快恢复器件基本相同,但是由于SiC 肖特基二极管的导通电阻具有正温度系数,这将有利于将多个SiC肖特基二极管并联。
在二极管单芯片面积和电流受限的情况下,这可以大幅度提高SiC肖特基二极管的容量,使它在较大容量中的应用成为可能。
目前实验室报道的容量的SiC二极管已经达到了6500V/1000A的水平。由于SiC开关管的发展相对二极管滞后,当前更普遍的做法是将SiC 二极管和Si IGBT 和MOSFET器件封装在一个模块中以形成大功率开关组合。
目前Cree公司、Microsemi公司、Infineon公司、Rohm公司的SiC肖特基二极管用于变频或逆变装置中替换硅基快恢复二极管,显著提高了工作频率和整机效率。中低压SiC肖特基二极管目前已经在通讯开关电源、光伏并网逆变器领域上产生较大的影响。
SiC肖特基二极管的发展方向是衬底减薄技术和Trench JBS结构。衬底减薄技术能够有效地减小低压SiC肖特基二极管的导通电阻,增强器件浪涌电流能力,减小器件热阻。Infineon公司于2012年9月发布第五代SiC SBD产品,采用衬底减薄技术。
在SiC晶格里,JBS结构中离子注入p阱的深度受到限制(《1um),反偏条件下浅p-n结对肖特基结的屏蔽作用不是特别明显,只有在相邻p阱之间的间距较小时才能突显出来,但同时带来的正向导通沟道宽度变窄效应使得正向导通压降显著增加。为了解决这一问题,废旧碳化硅含量,新一代SiC肖特基二极管的发展方向是Trench JBS结构。
Cree公司新一代SiC肖特基二极管同时采用Trench JBS结构和衬底减薄技术,与传统的JBS二极管相比,正反向特性都得到了改善,不仅增加了电流密度(芯片面积减小50%);也提高了阻断电压(提高 150V)和雪崩能力。
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