温补压控晶振10MHz TCVCXO 1PPM
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温补压控晶体振荡器规格书 |
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输出频率 |
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输出 |
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参数 |
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波形 |
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标准 |
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占空比 |
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出厂校准 |
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频率稳定度 |
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年老化 |
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温度特性 |
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电压特性 |
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负载特性 |
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压控 牵引范围 |
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控制电压范围 |
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其他 工作电压 |
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工作电流 |
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存储温度 |
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封装尺寸 |
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≤&plu***n;1.0 |
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≤&plu***n;1.0 |
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≤&plu***n;0.1 |
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≤&plu***n;0.1 |
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方波 |
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HCMOS |
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45 ～ 55 |
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≤&plu***n;1.0 |
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值 |
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TCVCXO |
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版本: A |
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2010-03-28 |
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１０.000MHz |
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单位 |
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--- |
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% |
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ppm |
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VC=1.5&plu***n;0.1V |
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负载：15 pF |
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测试条件 |
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VH ≥ 2.8V, VL≤ 0.4V |
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ppm |
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ppm |
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ppm |
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ppm |
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第1年 |
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-40～85℃ @ 25℃ |
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Vs&plu***n;5% |
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Load&plu***n;10% |
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≥&plu***n;5 |
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0～3 |
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ppm |
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VDC |
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斜率:正 |
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中心电压：1.5&plu***n;0.1V |
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3.3&plu***n;5% |
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≤3 |
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-50～+90 |
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5*7*2.2 Max. |
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VDC |
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mA |
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℃ |
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mm |
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@25℃,稳态时 |
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1.Voltage Control 2.GND 3.Output |
温补压控晶振10MHz TCVCXO 1PPM