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【XP162A12A6PR】Power MOSFET
[英文版]
The XP162A12A6PR is a P-channel Power MOSFET with low on-state resistance and ultra high-speed
switching characteristics.
Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set thereby s***ing energy.
A gate protect diode is built-in to prevent static damage.
The ***all SOT-89 package makes high density mounting possible.
XP162A12A6PR
特征：
Low On-State Resistance : ***(on) = 0.17Ω@ Vgs = -4.5V；***(on) = 0.3Ω@ Vgs = -2.5V
Ultra High-Speed Switching
Dribing Voltage : -2.5V
Gate Protect Diode Built-in
P-Channel Power MOSFET
DMOS Structure
***all Package : SOT-89
XP162A12A6PR
应用：
Notebook PCs
Cellular and portable phones
On-board power supplies
Li-ion battery systems
[中文版]
XP162A12A6PR功率MOSFET
XP162A12A6PR
应用：
笔记本电脑
蜂窝电话和便携式电话
板载电源供应器
锂离子电池系统
XP162A12A6PR
特点：
低导通电阻：***（ON）=0.17Ω@ VGS=-4.5V；***（on）=0.3Ω@ VGS =-2.5V
超高速开关
Dribing电压：-2.5V
内置门保护二极管
P-沟道功率MOSFET
DMOS结构
封装：SOT-89
XP16系列 超高速开关用MOS FET
XP16X系列采用微功率型模压SOT-89，是能够高密度安装的功率MOS FET。
输出形式有单N沟道型和单P沟道型。
XP16系列：
XP161A11A1PR
XP161A1265PR
XP161A1355PR
XP162A11COPR
XP162A12A6PR
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