【XP161A1355PR】
XP161A1355PR系列通过采用双重扩散形成沟道，使电流纵向流动的DMOS(Double Diffusion MOS)构造，是实现了低通态电阻、超高速开关特性的功率MOSFET。
XP161A1355PR系列的开关速度高，并能低压驱动，可实现***、节能。另外，由于采用各种小型封装，达到高密度安装，可实现设备的小型化、薄型化。
【XP162A12A6PR】
XP162A12A6PR系列通过采用双重扩散形成沟道，使电流纵向流动的DMOS(Double Diffusion MOS)构造，是实现了低通态电阻、超高速开关特性的功率MOSFET。
XP162A12A6PR系列的开关速度高，并能低压驱动，可实现***、节能。另外，由于采用各种小型封装，达到高密度安装，可实现设备的小型化、薄型化。
XP162A12A6PR 特点：
- 超高速开关
- Dribing电压：-2.5V
- 内置门保护二极管
- P-沟道功率MOSFET
- DMOS结构
- 封装：SOT-89
XP16系列超高速开关用MOSFET
XP16X系列采用微功率型模压SOT-89，是能够高密度安装的功率MOSFET。
输出形式有单N沟道型和单P沟道型。
XP16系列：
XP161A11A1PR
XP161A1265PR
XP161A1355PR
XP162A11COPR
XP162A12A6PR
【XC6206P282MR】
XC6206P282MR系列是一款高精度,低功耗,3引脚LDO高电压调整器芯片,并采用 CMOS工艺和激光微调技术。
在输出电流较大的情况下,输入输出压差也能很小。
XC6206P282MR系列芯片内部包括一个电流限制电路,一个驱动三极管,一个高精度参考电压源和一个误差校正电路。
XC6206P282MR系列可使用低ESR陶瓷电容.电流限制器的foldback电路可为电流限制器和输出引脚提供短路保护。
通过激光微调技术,可设定芯片的输出电压,其范围是1.2V至5.0V,间隔为100mV。
XC6206P282MR 特征：
- ***大输出电流 ：250mA(5.0V型)
- ***大工作电压 ：6.0V
- 输出电压范围 ：1.2~5.0V(0.1V间隔)
- 高精度 ：&plu***n;2%
- 低功耗 ：1.0μA(TYP.)
- 工作温度 ：-40℃～85℃
- 低ESR电容 ：可用陶瓷电容
- 封装 ：:SOT-23,SOT-89,TO-92,USP-6B