这项技术有对电热管理有利。Gerbier继续解释：“这与正在进行的如TSV的3D堆叠解决方案没什么不同。裸片排列更紧凑，这样互连会更短。当在嵌入式技术上进行互连工艺时，就是在pad的顶部构建了布线层。因此当创建通孔或连接点与pad连接，我发现一种无需焊料就可以实现互连的方法，这就是copper-to-copper。从可靠性的角度来看，如果材料匹配，就不会有太多问题。”
在SESUB中，***通用的配置是4层基板的嵌入式封装，有些也会开发2层、5层或6层的基板。
该技术对于输入输出（I/O）数量的理想数值是400。line/space的规范是大于等于10μm。pad尺寸为80μm，12英寸晶圆切割，pad间的间距为120μm。Gerbeir说：“到2018年和2019年，pad尺寸有望会降为30μm，晶圆，间距降为50μm。”
多种封装方式的选择
嵌入式芯片封装是众多集成电路（IC）封装类型中的一种。基本上，IC封装可分为三大类：引线框架封装、晶圆级封装（WLP）和基板级封装。
第i一类：引线框架封装。用于模拟和其他市场的引线框架封装系列涉及多种封装类型，12inch晶圆研磨，如方形扁平无引脚封装（QFN）和方型扁平式封装（QFP）。引线框架是金属框架，裸片贴装在框架上，晶圆研磨，用细引线连接。
第二类：晶圆级封装（WLP）。这类封装主要涉及扇入型（fan-in）和扇出型（fan-out）两种封装类型。WLP封装时裸片还在晶圆上。一般来说，WLP是一种无基板封装。WLP利用由布线层（routing layers）或重新布线层（RDL）构成的薄膜来代替基板，该薄膜在封装中提供电气连接。
RDL不会直接与电路板连接。相反，WLP会在封装体底部使用锡球，从而将RDL连接到电路板。
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