ME8109 内置2N65

一、 芯片基本介绍
ME8109主要针对适配器、充电器、开板电源、家电类、辅助电源而设计的一款高性能控
制芯片。ME8109 内部集成了一个脉宽调制控制器和一个650V（600V） 的高压功率 MOSFET。
ME8109 的启动电流很低，电流模式脉宽调制使得在轻载时工作在节能模式。这些特性保证了
电源能轻松达到最严苛的能源法规要求。 ME8109 的集成功能包括电流检测的前沿消隐，内
部斜率补偿，逐周期峰值电流限制和软启动。 另外，在误动作时，过流保护(OCP)，过压保护
(OVP) 和过载保护 (OLP) 、OTP能为芯片提供充分的保护。总之，ME8109 拥有更好的特性
和更低的电源成本.
主要特点如下：
1)低待机功耗：通过低功耗间歇工作模式设计，达到小于100mW超低耗的性能。
2)无噪声工作：优化的芯片设计可以使系统任何工作状态下均可安静地工作，系统最小工作频
率控制在22K左右。
3)更低启动电流：VDD启动电流低至 5uA，可有效地减少系统启动电路的损耗，缩短系统的启
动时间。
4)更低工作电流：工作电流约为 1.8mA， 可有效降低系统的损耗,提高系统的效率。
5)内置前沿消隐：内置220nS前沿消隐（LEB），降低系统成本。
6)内置良好的 OCP 补偿：内置了 OCP 补偿功能，使系统在不需要增加成本的情况下轻易使得
全电压范围内系统的OCP曲线趋向平坦， 提高系统的性价比。
7)完善的保护功能：集成了完善的保护功能模块。OVP，UVLO，OCP，OTP、恒定的 OPP可以使
系统设计简洁可靠，同时满足安规的要求。
8)软启动功能：内置4mS软启动功能,可有效降低系统开机MOS管漏源之间电压过冲。
9)较少的外围器件：外围比较简单，可有效提高系统的功率密度，降低系统的成本。
10）优良的 EMI 特性： 内置的频率抖动设计可以很有效的改善系统的 EMI 特性，同时可以
降低系统的EMI 成本。

四、各脚的功能以及调试中注意事项：
1．RT脚：
RT 端内部连接了一个恒流源，该恒流源提供100uA
（典型值）输出电流 。当因某种因素导致系统内部
温度逐渐上升时，NTC 温度补偿电阻受温度升高的
影响，其阻值逐渐降低，从而使 RT 端的电压逐渐
下降，直到 RT 端的电压降到 1.0V（典型值）以下
并持续 100uS后，芯片 Gate停止驱动，电源输出
关闭，保护整个系统；当系统内部温度逐渐降低时，
温度补偿电阻受温度下降的影响，其阻值逐渐升高，
从而使 RT 端的电压逐渐上升，直到 RT 端的电压
上升到 1.07V（典型值）并持续 100uS后，芯片自
动恢复输出，系统恢复正常工作。 由于 NTC 电阻
的精度及生产过程中 NTC 电阻检测点的不一致性
导致系统的 OTP 点误差较大， 推荐 R1使用可调电阻， 产品在生产时可通过调节该可
调电阻阻值来调整系统的 OTP的精度，满足不同的客户需求。
以系统100度OTP保护为例：RT选择150K热敏电阻，R1选择1.2-1.5K（0603）电阻即
可，其它类推。
2. 电源VDD脚：
ME8109 的启动电流低至5uA，可有效地减少系统启动电路的损耗，缩短系统的启动时
间。 VCC脚外接限流电阻参考值在0-51欧之间。启动电阻 RIN 的最大功率损耗：
在下图中，RIN 的最大功率损耗可以用下面的公式计算出来，公式如下：
Vdc,max： 最大输入电压整流后的直流电压
V ： 芯片正常工作的电压
3. FB反馈输入脚：
了解该脚各电压门限相对应的系统工作状态对分析和优化系统设计非常有帮助的。
0.75V-1.0V为系统在轻载间歇模式下的FB脚电压值，1.0V-3.7V为系统正常工作时FB
脚电压值(该电压段对应的开关频率随电压增高频率增大，最大增高到65K左右)，3.7
V-4.2V为反馈环路开路，过功率保护，短路保护时FB脚电压值。0.75V（典型值）以下
GATE端输出被关闭，FB短路电流典型值为0.3mA。当FB脚电压持续88mS大于3.7V或
小于0.75V时,GATE端立即关闭输出脉冲，保护整个系统的安全。
4. 电流检测SENSE脚：
开关电流经过一检测电阻流进SENSE脚，进行PWM调制。另外内置一个220nS前沿消隐
电路。该脚对地电阻的大小可以调节输出功率大小。