CSD16321Q5的详细信息
品牌：TI德州仪器
型号：CSD16321Q5
批号：1406+
封装形式：QFP/PFP类型：数字集成电路用途：通信功能：单片机导电类型：双极型封装外形：单列直插式 CSD16321Q5
品牌：TI
型号：CSD16321Q5
封装：VSON-8
包装：2500
数量:750000
年份：1406+
德州TI 大陆***代理商
深圳市亿威盛世股份有限公司
联系人：徐波
电话：13312991513
***:1134043964
传真：0755-23932352
产品分类分离式半导体产品 >> FET - 单CSD16321Q5
产品培训模块NexFET MOSFET Technology
视频文件NexFET Power Block
PowerStack? Packaging Technology Overview
产品目录绘图CSD164 Series N-Channel Pkg
标准包装1系列NexFET™FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
漏***源极电压(Vdss)25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
开态***（***大）@ Id, Vgs @ 25° C2.4 毫欧 @ 25A，8V
Id 时的 Vgs(th)（***大）1.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs19nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds3100pF @ 12.5V
功率 - ***大3.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-TDFN ***焊盘
供应商设备封装8-SON
包装标准包装产品
数据列表CSD16321Q5C
产品相片8-Power TDFN
产品培训模块NexFET MOSFET Technology
视频文件NexFET Power Block
PowerStack™ Packaging Technology Overview
设计资源Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer
特色产品DualCool™ NexFET™ CSD16 Q5C MOSFETs
制造商产品页CSD16321Q5C Specificati***
标准包装 2,500类别分立半导体产品家庭FET - 单系列NexFET™包装 带卷 （TR） FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)25V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）31A （Ta）， 100A （Tc）不同 Id、Vgs 时的 *** On（***大值）2.4 毫欧 @ 25A，8V不同 Id 时的 Vgs(th)（***大值）1.4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)19nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)3100pF @ 12.5V功率 - ***大值3.1W安装类型表面贴装封装/外壳8-TDFN ***焊盘供应商器件封装8-SON-EP（5x6
类 别： Semiconductors >> Power Management
The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applicati***.
Optimized for 5V Gate Drive
Ultra Low Qg and Qgd
Low Thermal Resistance
***alanche Rated
Pb Free Terminal Plating
RoHS Compliant
SON 5mm × 6mm Plastic Package
APPLICATI***
Point-of-Load Synchronous *** Converter for
Applicati*** in Networking, Telecom and
Computing Systems
Optimized for Synchronous FET Applicati***
NexFET is a trademark of Texas Instruments.