XP162A11C0PR一个P沟道功率MOSFET的低导通电阻和超高速开关特性。 因为高速的开关是可能的,该IC可以有效地设置,从而节省能源。
栅极保护二极管是内置的,以防止静电损坏。 小SOT-89封装,使高密度安装的可能。
XP162A11C0PR特点:
低导通电阻:***(上)=0.15Ω@ VGS=-10V
:的***(on)=0.28Ω@ VGS =-4.5V
超高速开关
驱动电压:-4.5V
门保护二极管内置
P沟道功率MOSFET
DMOS结构
小封装:SOT-89
环保性:符合欧盟RoHS标准,无铅
XP162A11C0PR满足我们对设计的要求。这些料号从设计之初就采用工程加设计人员的方式,从实际需求点出发来设计,边测试边创新的方式,既收到了实用的要求又有效的提高的市场的联动机制,彻底打破了之前设计和需求断裂的局面,让苦心设计的产品***终没有达到或者完全市场不接受的尴尬,造成市场渴望的产品没有出现而不需要的产品大量充斥市场的局面,船运到香港的周期也比之前进一步缩段,采用特殊料号特俗安排的方式,优先保证这些型号的要求,从出产品线到下船的周期也极端的减少了中间环节。
深圳市泰德兰电子有限公司----日本TOREX(特瑞仕)半导体在中国的***一级代理商。
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