激光-QSI激光二极管-QSI(优质商家)

QSI激光二极管中国地区***，主要为国内的客户提供QSI的原厂产品和技术支持。同时也研发激光类应用产品和其他电子产品。秉承一贯的服务理念和精神为客户提供更好的产品信息，行业动态，技术支持。同时QSI激光二极管被越来越多地作为下一代高科技行业的核心器件。

★我们可以提供主要有以下型号：

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在讲激光产生机理之前，先讲一下受激辐射。在光辐射中存在三种辐射过程，

一时处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁，称之为自发辐射；

二是处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁，称之为受激辐射；

三是处于低能态的粒子吸收外来光的能量向高能态跃迁称之为受激吸收。

自发辐射，即使是两个同时从某一高能态向低能态跃迁的粒子，它们发出光的相位、偏振状态、发射方向也可能不同，但受激辐射就不同，当位于高能态的粒子在外来光子的激发下向低能态跃迁，发出在频率、相位、偏振状态等方面与外来光子完全相同的光。在激光器中，发生的辐射就是受激辐射，它发出的激光在频率、相位、偏振状态等方面完全一样。任何的受激发光系统，即有受激辐射，也有受激吸收，只有受激辐射占优势，才能把外来光放大而发出激光。而一般光源中都是受激吸收占优势，只有粒子的平衡态被打破，使高能态的粒子数大于低能态的粒子数（这样情况称为离子数反转），才能发出激光。

产生激光的三个条件是：实现粒子数反转、满足阈值条件和谐振条件。产生光的受激发射的首要条件是粒子数反转，在半导体中就是要把价带内的电子抽运到导带。为了获得离子数反转，通常采用重掺杂的P型和N型材料构成PN结，这样，在外加电压作用下，在结区附近就出现了离子数反转—在高费米能级EFC以下导带中贮存着电子，而在低费米能级EFV以上的价带中贮存着空穴。实现粒子数反转是产生激光的必要条件，但不是充分条件。要产生激光，还要有损耗小的谐振腔，谐振腔的主要部分是两个互相平行的反射镜，激发物质所发出的受激辐射光在两个反射镜之间来回反射，不断引起新的受激辐射，使其不断被放大。只有受激辐射放大的增益大于激光器内的各种损耗，即满足一定的阈值条件。

通过对LD工作原理的了解，以及对APC电路的工作状态分析过程，发现APC驱动电路可以实现外界因素变化时的自身调节维，以保持光功率相对稳定。也可以主动调节可调电阻的阻值来实现光功率的变化，满足客户对小功率激光器的不同光功率要求。激光APC电路能够满足一般恒定功率输出的要求，通过以上负反馈控制，APC的输出功率可能还会有±10%的变化。如果有更高的输出功率要求，还要更加完善或采用专用集成电路来完成.

由于镭射可實現无接觸遠距離測量，速度快，精度高，量程大，檢測時間短，抗光、电干擾能力強等特點，鐳射檢測、測量技術現廣泛運用於鐳射測長、鐳射測距、鐳射測厚、鐳射測徑、鐳射測振、鐳射測速、鐺射小角度測量、鐳射全息干涉測量、鐳射散斑測量、鐳射

准直測量等領域。

QSI激光二极管成立于2000年 .2004年出口额达到1200万美元. 2014年被***评为“技术创新公司”QSI凭借丰富的***知识和经验、***的产品设计能力和***的生产设备，可以***的处理包括EPI、FAB和PKG等，为世界提供解决方案，650激光二极管，迅速响应客户的需求和需求，赢得了世界的盛誉，产品更是享誉全世界。

QSI激光二极管生产的激光扫描测距雷达是一款低成本360度二维激光雷达(LDAR)，基于三角测距原理，采用全新光磁融合技术，配以独特光学、算法专利技术，可实现二维平面6米半径内，360度全位高精度的实时获取距离、角度等信息，产生环境点云地图信息，应用于机器人***导航测绘、物体环境建模等方面。

激光雷达产品特性：

误差小，精度高，稳定性好

功耗低，寿命长，电机转速可调

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激光功率符合 Class I，达人眼安全级别

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半导体五大特性∶电阻率特性，导电特性，光电特性，负的电阻率温度特性，整流特性。

　　★在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。

　　★在光照和热辐射条件下，测距激光，其导电性有明显的变化。

　　晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为晶格。

　　共价键结构：相邻的两个原子的一对***外层电子（即价电子）不但各自围绕自身所属的原子核运动，而且出现在相邻原子所属的轨道上，成为共用电子，构成共价键。

　　自由电子的形成：在常温下，少数的价电子由于热运动获得足够的能量，挣脱共价键的束缚变成为自由电子。

　　空穴：价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。

　　电子电流：在外加电场的作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流。

　　空穴电流：价电子按一定的方向依次填补空穴（即空穴也产生定向移动），形成空穴电流。

　　本征半导体的电流：电子电流 空穴电流。自由电子和空穴所带电荷极性不同，它们运动方向相反。

　　载流子：运载电荷的粒子称为载流子。

　　导体电的特点：导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。

　　本征半导体电的特点：本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。

　　本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。

　　复合：自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。

　　动态平衡：在一定的温度下，本征激发所产生的自由电子与空穴对，与复合的自由电子与空穴对数目相等，达到动态平衡。

　　载流子的浓度与温度的关系：温度一定，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。当温度升高时，热运动加剧，挣脱共价键束缚的自由电子增多，空穴也随之增多（即载流子的浓度升高），导电性能增强；当温度降低，激光，则载流子的浓度降低，导电性能变差。

　　结论：本征半导体的导电性能与温度有关。半导体材料性能对温度的敏***，可制作热敏和光敏器件，又造成半导体器件温度稳定性差的原因。

　　杂质半导体：通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。

　　N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。

　　多数载流子：N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度，称为多数载流子，简称多子。

　　少数载流子：N型半导体中，空穴为少数载流子，简称少子。

　　施子原子：杂质原子可以提供电子，称施子原子。

　　N型半导体的导电特性：它是靠自由电子导电，掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。

　　P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体。

　　多子：P型半导体中，多子为空穴。

　　少子：P型半导体中，少子为电子。

　　受主原子：杂质原子中的空位吸收电子，称受主原子。

　　P型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。