品牌：NXP
封装：SOT669
型号：P***N4R0-40YS
包装：1500
年份：13+
数量：2000
NXP 大陆***代理商.
深圳市亿威盛世科技有限公司.
联系人：徐波
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***:1134043964
传真：0755-23932352
制造商:NXP
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
商标:NXP Semiconductors
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:100 A
*** On-漏源导通电阻:4 mOhms
Pd-功率耗散:106 W
安装风格:***D/***T
封装 / 箱体:LFPAK33-4
封装:Reel
下降时间:12 ns
上升时间:19 ns
工厂包装数量:1500
典型关闭延迟时间:34 ns
恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V）近日宣布推出NextPowerS3——一款全新高性能30V MOSFET平台,使用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技术。NextPowerS3是业界***能够提供高频率、低峰值性能的MOSFET，通常只有集成肖特基或类似肖特基二极管的MOSFET才具有这种性能，而且这种MOSFET没有令人烦恼的高漏电流问题。NextPowerS3 30V的产品适合于各种应用，包括用于通信和云端计算机所需要的***率电源、高性能便携式计算机电源和电池供电式电机控制，如可充电电动工具。
***近几年的趋势是研发高频应用的MOSFET，努力降低开关损耗并提高开关模式电源(***PS)设计的效率。然而，更高的开关速度会产生更高开关节点电压尖峰、耦合栅极毛刺等问题，并且会带来电压击穿、影响EMI和可靠性等潜在问题。
一种广泛使用的解决方案是将肖特基二极管和类似肖特基二极管集成在MOSFET结构中。然而，肖特基二极管产生高漏电流（特别是在高温环境下），会影响效率、电池寿命和制造过程中的次品鉴别能力，但是恩智浦的NextPowerS3系列产品结合带软***功能的超快速开关性能，解决了所有这些问题，可提供更高的效率和更高的功率密度，同时能将电压尖峰保持在可控范围内，并将漏电流限制在1 µA以内。
恩智浦半导体MOSFET营销与业务开发总经理Chris Boyce表示：“大家都知道肖特基二极管漏电流很严重，特别是在高温环境下。虽然通过设计有可能将漏电流控制在1 mA或2 mA左右，但***大的问题是因此带来质量的问题。因此，我们将漏电流作为推动零缺陷制造的重要指标。从一堆固有高漏电流的器件中找出缺陷器件就像在警报声中听清耳语一样困难。NextPowerS3的亚微安漏电流意味着恩智浦的产品不存在这种问题。”
功能
1. 通过超低Qg、Qgd和Coss获得较高系统效率
2. 降低开关节点电压尖峰；低EMI
3. 特有的SchottkyPlus技术；集成式肖特基性能且无高漏电流
4. 无焊线，无胶合；结温为175°C
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 致力于为智能世界提供安全互联的解决方案。基于高性能混合信号的***性，恩智浦在汽车、智能识别和移动行业，以及无线基础设施、照明、***、工业、个人消费电子和计算等应用领域不断创新。公司在***逾25个***都设有业务执行机构.
不同 Id 时的 Vgs(th)（***大值）4V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2410pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)38nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 *** On（***大值）4.2 毫欧 @ 15A，10V
供应商器件封装LFPAK56， Power-SO8
功率 - ***大值106W
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-100，SOT-669，4-LFPAK
漏源极电压 (Vdss)40V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）100A （Tc）
FET 功能标准
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
文档
产品目录页面1508 (CN2011-ZH PDF)
PCN 组件/产地Wafer Fab Addition 12/May/2014
图像和媒体
产品相片LFPAK-4, SOT669
特色产品LFPAK Trench 6 MOSFETs