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***控制离子束流
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***控制加速电压
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占地小
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操作简单
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运行成本低
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自维护
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特别适合于研发应用
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适用于4”~6”晶片，***小可用于1*1cm2样品（室温）
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4”热注入模式，***高温度可达600度
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2个带有蒸发器的Freeman离子源，可使温度达750度
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1个Bernas离子源
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非凡的铝注入能力
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一个主气箱，配有4个活性气体管路；一个副气箱，配有4个中性气体管路
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高价样品注入能力
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注入角0~15度
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IBS特有的矢量扫描系统
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手动装载/卸载用于标准注入和热注入，自动25片cassette 装载用于标准腔室
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远程操作控制接触屏（5米链接线缆）
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辐射低于0.6usv/hour
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CE认证
工艺性能
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2~210keV
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束流：4”晶片100keV时，大于900uA (As, P), 大于450uA (B)
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剂量范围：1*1011*1018~at/cm2
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片内非均匀性：1s
<=1%(带有1000埃氧化层的4寸硅，注B，100kev，1*1014at/cm2 -
片间均匀性：1s ≤ 1 %