RA20H8087M是20-watt RF的MOSFET放大器模块for 12.5-volt，在806-经营移动收音机870-MHz范围.电池可以直接连接到漏极增强型MOSFET晶体管.如果没有门电压(VGG进排水=0V),只是一个很小的泄漏电流与输入信号衰减的RF高达60 dB.输出功率作为栅极和漏极电压增加电流增加.随着gate voltage around 4V (minimum), output power and drain current大幅增加.额定输出功率变为可在4.5V（典型值）和5V（***大）.在VGG=5V,典型栅极电流1 mA.该模块是专为非线性调频调制，但可能也可用于线性调制通过设置静态漏电流随栅极电压和输出功率控制输入功率.
特征
•增强型MOSFET晶体管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Pout>20W,ηT>25% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW
•宽带频率范围：806-825/ 851-870MHz
•低功耗控制电流IGG=1mA (typ)在VGG=5V
•模块尺寸：66 x 21 x 9.88 mm
•线性操作有可能通过设置静态漏电流同门电压和输出功率的控制输入功率