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    使用新的存储技术扩展可靠性和安全性

    Sentry安全模块的优点并不仅限于低功率监控。通过采用最新的非易失性RAM(NVRAM)存储器技术，这类模块从几个新的方向扩展了数据保持和分析能力。为使电网变得更为智能和可靠，必须不断地监控和分析大量运行数据。“智能”电表必须能够维持备份数据并进行自我分析，从而消除误差和发现各种迹象。此外，如果这类电表能够帮助分析系统的总功率和通信健康状态，这将非常理想。出于这一原因，许多电表制造商通过增加存储器来帮助追踪重要的运行数据。闪存或EEPROM等传统的非易失性存储器并不理想，因为这些产品的耐受性极低，而且还需要较大的电流。除了这些局限性之外，片上存储器尽管更便宜也更普遍，但也会消耗大量功率，并需要复杂的等待状态及合理使用的软件方案。这降低了整个系统的整体性能和寿命。基于NVRAM(非易失性RAM，如铁电体RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)及相变RAM(PCRAM)等)的新型存储技术则克服了这些缺点。它们可以在电源不稳定的情况下保持数据，具备较高的写耐受性，且仅需消耗极低的功率(尤其是FeRAM)。这就意味着NVRAM非常适用于维持和持续分析重要数据。这使系统能在实现低功率和高性能的基础上收集更多数据，使产品能够可靠地完成多个同步任务。同时，NVRAM也便于“随时写入数据”。这些存储器的数据写入过程与RAM很像，因此不需要在记录数据的过程中终止系统或使用其他宝贵的系统资源，从软件和系统延迟角度来看非常容易使用。尽管FeRAM在写入数据时不如传统的静态RAM速度快，但它能够在极低的功耗下达到比闪存快1,000倍的写速度。此外，FeRAM的写耐受性为1012个周期，是现有最好闪存产品的1,000,000倍。这使得产品在20年以上的寿命内能够不断写入数据。另外，FeRAM的写速度和独特物理性质使其能够更好地存储和确保信息安全，比如在篡改检测事件发生时可擦除或锁定安全密钥和密码。