掺铌钛酸锶(分子式为Nb:SrTiO3):掺铌钛酸锶单晶与纯钛酸锶有相似的结构,但有导电性。掺铌钛酸锶的电阻率在0.1 – 0.001 W-cm之间变化随着掺铌浓度在0.01 ~ 0.001 wt %之间不同。传导的单晶基片为薄膜和器件提供了电极。
掺铌钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构,但NSTO具有导电性。目前我们可以提供掺铌浓度为:0.05%,0.1%,0.5% 和0.7%的Nb:SrTiO3,
主要性能参数 |
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Nb:SrTiO3 级别 |
A |
B |
C |
D |
Nb 浓度(wt%) |
1.0 |
0.7 |
0.5 |
0.1 |
电阻率 ohm-cm |
0.0035 |
0.0070 |
0.05 |
0.08 |
迁移率 cm2/vs |
9.0 |
8.5 |
8.5 |
6.5 |
特点 |
Nb:SrTiO3与SrTiO3单晶具有相似的结构,但NSTO具有导电性。电阻率范围在0.1~0.001wt%之间不同。传导的单晶基片为薄膜和器件提供了电极。 |
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尺寸 |
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20, |
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Ф15,Ф20,Ф1″, |
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厚度 |
0.5mm,1.0mm |
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抛光 |
单面或双面 |
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晶向 |
<100> <110> <111> |
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晶面定向精度: |
&plu***n;0.5° |
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边缘定向精度: |
2°(特殊要求可达1°以内) |
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斜切晶片 |
可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片 |
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Ra: |
≤5Å(5µm×5µm) |
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包装 |
100级洁净袋,1000级超净室 |
基本性质
产品规格 |
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Nb:STO级别 |
A |
b |
c |
Nb掺杂浓度(wt%) |
1.0 |
0.7 |
0.5 |
电阻率(ohm-cm) |
0.0035 |
0.0070 |
0.05 |
迁移率 cm2/vs |
9.0 |
8.5 |
8.5 |
标准尺寸 |
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5×5×0.5mm,10×10×0.5mm 单抛或双抛Ra < 8Å |
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可根据客户的要求提供特殊方向和尺寸 |
欢迎来电咨询。