光刻胶的应用
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光刻胶的应用
1975年，美国的国际半导体设备与材料协会首先为微电子工业配套的超净高纯***制定了国际统一标准——SEMI标准。1978年，光刻胶，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。两种标准对超净高纯***中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。其中，SEMI标准更早取得世界范围内的普遍认可。
表征光刻胶特性和性能、质量的参数有以下三个：
(1)光学性质。光刻胶的光学性质包括光敏度和折射率。
(2)力学特性和化学特性。光刻胶的力学特性和化学特性包括胶的固溶度、黏滞度、黏着度、抗蚀(刻蚀、腐蚀)性、热稳定性、流动性和对环境气氛(如氧气)的敏感度。
(3)其他特性。光刻胶的其他特性包括胶的纯度、胶内的金属含量、胶的可应用范围、胶的储存有效期和胶的燃点。
光刻胶市场
***光刻胶市场扩增，对光刻胶的总需求不断提升。据估计，2015年国际光刻胶市场达73.6亿美元，其中PCB光刻胶占比24.5%，光刻胶 厂家，LCD光刻胶占26.6%，半导体光刻胶占比24.1%。2010年到2015年期间，国际光刻胶市场年复合增长率约为5.8%；据中国产业信息网数据，2015年，PCB光刻胶、LCD光刻胶和半导体光刻胶的国际市场增速均在5%左右。在下游产业的带动下，江瀚咨询预计国际光刻胶市场规模在2022年可能突破100亿美元。
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