2，涂胶，在硅片覆盖，旋转，离心力，在硅片表面通过旋转的光刻胶，工艺参数3000-6000rpm 胶膜厚0.5-1um， 
3，前烘，通过在较高温度下进行烘焙，使存底表面涂覆的光刻胶膜的溶剂挥发，溶剂将至5%左右，光刻胶进口futurrex，同时增强与衬底的粘附性。前烘方法：热平板传导，干燥循环热风提高附着力，红外线辐射。
烘箱前烘条件：90-100度，10-20min，前烘时间与温度应适当，如太长或温度太高，光刻胶层变脆而附着力下降，而前烘不足会影响后面的显影效果。
光刻胶国内研发现状
“造成与国际水平差距的原因很多。过去由于我国在开始规划发展集成电路产业上，布局不合理、不完整，特别是生产加工环节的***，而忽视了***重要的基础材料、装备与应用研究。目前，整个产业是中间加工环节强，前后两端弱，核心技术至今被TOK、JSR、住友化学、信越化学等日本企业所垄断。
光刻胶的主要技术指标有解析度、显影时间、***数量、附着力、阻抗等。每一项技术指标都很重要，必须全部指标达到才能使用。因此，国外企业在配方、生产工艺技术等方面，对中国长期保密。中国的研发技术有待进一步发展
光刻胶国际化发展
业内人士认为，按照现在“单打独斗”的研发路径，肯定不行。***相关部门要加大产业政策的配套支持力度，应从加快完善整个产业链出发，光刻胶进口去胶，定向梳理国内缺失的、产业依赖度高的关键核心电子***，要针对电子***开发难度高，检测设备要求高的特点，***汇聚一些优势企业和***，形成一个产业联盟，***建立一个生产应用示范平台，集中力量突破一些关键技术。
江苏博砚电子科技有限公司董事长宗健表示，光刻胶要真正实现国产化，难度很大。问题是国内缺乏生产光刻胶所需的原材料，致使现开发的产品碳分散工艺不成熟、碳浆材料不配套。而作为生产光刻胶***重要的色浆，至今依赖日本。前道工艺出了问题，保证不了科研与生产，光刻胶国产化就遥遥无期。因此，必须通过科研单位、生产企业的协同创新，尽快取得突破。
有***提出，光刻胶进口，尽管国产光刻胶在面板一时用不起来，但***还是要从政策上鼓励国内普通面板的生产企业尽快用起来。只有在应用过程中才能发现问题，解决问题，不断提升技术、工艺与产品水平，实现我国关键电子***材料的国产化，完善我国集成电路的产业链，满足***和***产业的需求。
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