产品分类: 工业内存系列
DDR2是新一代的DDR内存革新技术。DDR2内存的速度更快、数据带宽更大、耗电更少、散热性能更高。DDR2内存芯片使用球型阵列封装(Fine-pitch BGA,FBGA),加强了电气与热感应特性。此外,DDR2内存芯片也将整合内存信号终端电阻(On-Die Termination,ODT),以降低高速传输时的内存信号反射,进而提升时序预留空间。DDR2内存芯片的***高容量可达到4 G,可显著提升内存模组的容量。 此为DDR2-800 CL5 Unbuffered内存模组。该模组密度从512MB到2GB,由64/128MX8位FBGA封装的DDR2-800同步DRAM组成,用于安装在240脚侧边卡连接器插槽中。
产品详情
JEDEC标准
DDR2速度等级 |
800Mbps |
Unbuffered DIMM |
240-pin |
内存*** |
X8 FBGA DRAM芯片 |
DDR2 DRAM接口 |
SSTL_18 |
CAS延迟时间 |
5-5-5 |
带宽 |
6400mb/s |
VDD电压 |
1.8+-0.1V |
VDDQ电压 |
1.8+-0.1V |
标准OP温度 |
0℃+85℃ |
PCB高度 |
1.18英寸 |
符合RoHS
串行存在检测与EEPROM