产品分类: 工业内存系列
DDR内存的数据带宽是传统PC100或PC133 SDRAM的两倍,并且特别适用于对CPU内存性能要求极高的高性能服务器和工作站。正如其名,DDR SDRAM是双倍数据速率SDRAM。一个时钟周期可表示为一个方波,“0”到“1”之间为上升缘,“1”到“0”之间为下降缘。在SDRAM中,只使用其中一个缘,但DDR SDRAM使用两个缘,使数据传输率提高了两倍。 此为DDR-400 CL3 Unbuffered内存模组。该模组密度从512MB到1GB,由32/64MX8位TSOP II封装的DDR-400同步DRAM组成,用于安装在184脚侧边卡连接器插槽中
产品详情
JEDEC标准
DDR速度等级 |
400Mbps |
Unbuffered DIMM |
184-pin |
内存*** |
X8 TSOP II DRAM芯片 |
DDR2 DRAM接口 |
SSTL_25 |
CAS延迟时间 |
3-3-3 |
带宽 |
3200mb / s |
VDD电压 |
2.6+-0.1V |
VDDQ电压 |
2.6+-0.1V |
标准OP温度 |
0℃+85℃ |
工业OP温度 |
-40℃+85℃ |
PCB高度 |
1.18英寸 |
符合RoHS
串行存在检测与EEPROM