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厦门渤格电气技术有限公司

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厦门渤格电气技术有限公司是一家专业提供工业自动化领域的备件服务商,产品品种齐全、价格合理,公司实力雄厚,重信用、守合同、保证产品质量,以多品种经营特色和薄利多销的原则,赢得了广大客户的信任。 我们主营PLC可编程控制器模块,DCS卡件,ESD系统卡件,振动监测系统卡件,汽轮机控制系......

GE IC693MDL940、IC693MDL645

产品编号:623723332                    更新时间:2019-05-20
价格: 来电议定
厦门渤格电气技术有限公司

厦门渤格电气技术有限公司

  • 主营业务:AB,ABB,GE,本特利,福克斯波罗,霍尼韦尔,英维斯,西...
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产品详情

GE  IC693MDL940、IC693MDL645

    FPGA内工作电路
 
    主流存储器从FPM和EDO到SDR和DDR,再到DDR2,这种发展带来了先进的架构、更高的密度、更快的速度、更低的电源电压、更高的带宽和更低的功耗。
    这些显著的技术进步提升了DRAM技术—尤其是将运算市场部分提高到更高的性能水平。
    DRAM技术上取得的进步伴随着多内核处理器的出现、新的操作系统,以及跨多种不同运算平台和应用的越来越多的不同要求,包括服务器、工作站、海量存储系统、超级计算机、台式电脑和笔记本电脑和外设。存储器技术的每次转变,对存储器的考虑都变得越来越复杂,但是如果清楚了解了主流的存储器如何发展的,以及其中出现的一些折中,设计师就可以选择能很好地满足他们的平台、操作系统和应用的高性能存储器。
    速度问题
    在DDR技术之前是SDR技术,在SDR技术之前,有快速页/扩展数据输出(FP/EDO)存储器。FP/EDO存储器的数据传输是异步的,意味着数据/地址/命令信号没有供参考的时钟信号。SDR技术通过提供一个时钟输入改善了这个问题,这些信号可以以这个时钟信号为基准,在时钟的上升沿(从低到高的转变)发送数据。利用与系统时钟同步的DRAM时钟引脚,可以获得比异步存储器高很多的数据速率。
    在2000年,市场上引入了DDRSDRAM。DDR技术通过在时钟的上升沿和下降沿传送数据,使速度相对于SDR倍增。采用DDR,每个时钟周期传送两个数据位(每根数据线),而不是SDR的一个位。为了实现这一点,在每个时钟周期内每个数据线访问存储器阵列(数据实际存储的位置)的两个数据位。这种过程称为2字或2n预取。这里的内核时钟周期是指存储器阵列的周期时间,存储器阵列的频率为I/O缓冲器的一半和1/4的数据速率。预取使速度不断提高,改善效率并增强性能。
    DDR2SDRAM功能非常类似于DDRSDRAM,但是它的一些新特性使得速度更快,DDR3以DDR2为起点,获得更大的技术进步。DDR具有2n预取,DDR2具有4n预取,DDR3具有8n预取。DDR3的内部数据周期时间为外部时钟速度的1/8,内部数据总线的宽度为外部数据总线宽度的8倍。DDR3在每个内核时钟周期内,每根数据线从存储器阵列移出8个数据位到I/O缓冲器中。
    其他增强带宽的特性包括更低的终结电阻(RTT)值以支持更高的数据率。对于DDR2,其起始值为50Ω,DDR3的起始值为20Ω。
    DDR2和DDR3SDRAM的差异
    DDR3的技术优势
    DDR3实现了一系列的技术改善,这些改善强调更快的速度和更高的性能。DDR3器件设计用于高速信号,改善的引脚排列提供了更多的电源和地,这样能实现更优的电源供电。改善的电源分布和地以及改善的基准信号,这些加在一起共同改善了信号质量。DDR3D/Q阵列减小了D/Q失真,使D/Q时序更紧凑,而全面布局的球珊改善了机械可靠性。
    针对所有应用的DDR3模块
    1.峰值性能提高
    因为DDR3的性能是DDR2的两倍,DDR3在DDR2的基础上速度进一步提高。DDR3的最低速率为每秒800Mb,最大为1,600Mb。当采用64位总线带宽时,DDR3能达到每秒6,400Mb到12,800Mb。
    2.电源电压
    DDR3的电源电压降低到1.5V,与标准的1.8VDDR2相比,低20%。这对于低数据速率的应用来说特别重要,例如移动计算。在移动计算应用中节省15%到20%的功率非常重要,因为在这种应用中功率是很重要的性能指标。DDR3的低功耗特性同样对于笔记本应用来说具有重要的优势。
    3.融合的驱动器
    与DDR2的18Ω驱动器相比,DDR3的34Ω驱动器特别针对每个通道两个模块以及点对点的系统进行了优化。DDR3SDRAM驱动器还通过降低电容、动态片上终结(ODT)以及新的校准方案改善了性能。
    为降低输出驱动器/终结驱动器组合的输入电容,DDR3实现了一种融合的驱动器。这种驱动器可以支持多种终结值,使用了相同的上拉和下拉驱动器结构的组合。事实上,融合驱动器的最重要优势是它能通过重复使用这些结构来减少电容—这一点是与DDR2SDRAM的一个关键的区别,后者针对输出驱动器和终结驱动器电阻分别使用了不同的结构。
 
 
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