KBU406-ASEMI-整流桥型号KBU406

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摘要 : 深圳市强元芯电子有限公司，12年来一直专注于电源领域，是台湾原装品牌ASEMI在内地的***商。快***二极管是我们的主营产品之一，强元芯电子的产品行销各地，应用广泛。作为半导体行

导读：深圳市强元芯电子有限公司，12年来一直专注于电源领域，是台湾原装品牌ASEMI在内地的***商。快***二极管是我们的主营产品之一，强元芯电子的产品行销各地，应用广泛。作为半导体行业的领跑者，强元芯对于快***二极管的特点与应用了解透彻，所以今天汇总了快***的特点与应用，KBU406整流桥电路图，希望能够对大家有帮助。

下面，就让强元芯小编来跟大家一起学习：

快***二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向***时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，整流桥品牌KBU406，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。

内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向***电荷很小，所以它的反向***时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。

通常，8~20A的二极管管采用TO–220FP塑料封装，20A以上的大功率二极管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装，8A以下的二极管插件封装则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格封装。

性能特点：

1）反向***时间：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。

2）内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N 硅片。

3）20A以下的快***及超快***二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管两种。

4）对管内部包含两只快***二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。几十安的一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。

强元芯ASEMI电子深知：在当今这个科技发达的社会中，电子产品已经成为我们生活中不可缺少的一部分。而每一件电子产品都是由一个个小小的电子元器件组成的，只有保证元器件的品质，***终才能生产出好品质的电子产品。所以强元芯ASEMI坚持用心做好每一个产品：所有材料均采用台湾进口晶圆-波峰GPP芯片及进口优质PC材料一次性浇铸成型，使得产品具有良好的散热性及稳定性，可信赖性。

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摘要 : 导读：快***二极管MURF1660CT，虽然只是一个小小的元件，但它却是电源板上不可缺少的一个。很多硬件设计师在设计电源板时经常会出现电磁兼容问题，当问题出现时束手无策？电磁兼容基础

导读：快***二极管MURF1660CT，虽然只是一个小小的元件，但它却是电源板上不可缺少的一个重要元件。很多硬件设计师在设计电源板时经常会出现电磁兼容问题，当问题出现时束手无策？电磁兼容基础知识缺乏？强元芯ASEMI整理了一些关于电磁兼容经常会出现的基础知识问答，希望能够帮助到各位工程师！

在以往的电磁兼容方面的常见问题：

1. 为什么要对产品做电磁兼容设计？

答：满足产品功能要求、减少调试时间，使产品满足电磁兼容标准的要求，使产品不会对系统中的其它设备产生电磁干扰。

2. 对产品做电磁兼容设计可以从哪几个方面进行？

答：电路设计（包括器件选择）、软件设计、线路板设计、屏蔽结构、信号线/电源线滤波、电路的接地方式设计。

3. 在电磁兼容领域，为什么总是用分贝（dB）的单位描述？

答：因为要描述的幅度和频率范围都很宽，在图形上用对数坐标更容易表示，而dB 就是用对数表示时的单位。

4. 为什么频谱分析仪不能观测静电放电等瞬态干扰？

答：因为频谱分析仪是一种窄带扫频接收机，KBU406，它在某一时刻仅接收某个频率范围内的能量。而静电放电等瞬态干扰是一种脉冲干扰，其频谱范围很宽，但时间很短。

5. 在现场进行电磁干扰问题诊断时，往往需要使用近场探头和频谱分析仪，怎样用同轴电缆制作一个简易的近场探头？

答：将同轴电缆的外层（屏蔽层）剥开，使芯线暴露出来，将芯线绕成一个直径1~2 厘米小环（1~3匝），焊接在外层上。

6. 设计屏蔽机箱时，根据哪些因素选择屏蔽材料？

答：从电磁屏蔽的角度考虑，主要要考虑所屏蔽的电场波的种类。对于电场波、平面波或频率较高的磁场波，一般金属都可以满足要求，对于低频磁场波，要使用导磁率较高的材料。

7. 机箱的屏蔽效能除了受屏蔽材料的影响以外，还受什么因素的影响？

答：受两个因素的影响，一是机箱上的导电不连续点，例如孔洞、缝隙等；另一个是穿过屏蔽箱的导线，如信号电缆、电源线等。

8. 屏蔽磁场辐射源时要注意什么问题？

答：由于磁场波的波阻抗很低，因此反射损耗很小，而主要靠吸收损耗达到屏蔽的目的。因此要选择导磁率较高的屏蔽材料。另外，在做结构设计时，要使屏蔽层尽量远离辐射源（以增加反射损耗），尽量避免孔洞、缝隙等靠近辐射源。

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摘要 : 整流桥型号的命名规则，以ASEMI品牌KBU808（G)为例详细的介绍一下整流桥型号的命名 整流桥隶属半导体，整流桥型号KBU406，其命名规则也按半导体方法来命名，虽生产厂家及品牌不同，国内外也有许多的命名方法，但现大多数品牌用的主流命名方法是国际电子联合会半导体器件型号命名法，其命名法简单方便，更重要的是可以从型号直接了解产品的两大***基本也是***主要的参数，下面我们就以ASEMI品牌KBU808(G)来详细的说一下它的命名方法：

KBU808（G）其中KBU表示的是一种KBU封装形式，其封装从6A-25A之间都有，而8表示的是正向整流电流，整流桥堆的用途就是作整流用，所以8表示的是其***基本***主要的参数，而后面的08表示的是反向电压，即一个整流可以承受的反向电压，它表示的是在此电压范围内，整流桥都可正常使用，而不支损坏。后面的G表示的是GPP封装工艺，区别于之前的酸洗工艺，因酸洗工艺现已基本不再使用，故后面带G的表示法也基本不再出现。