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摘要 : 整流桥型号的命名规则，以ASEMI品牌KBU808（G)为例详细的介绍一下整流桥型号的命名 整流桥隶属半导体，其命名规则也按半导体方法来命名，虽生产厂家及品牌不同，国内外也有许多的命名方法，但现大多数品牌用的主流命名方法是国际电子联合会半导体器件型号命名法，其命名法简单方便，更重要的是可以从型号直接了解产品的两大***基本也是***主要的参数，整流桥品牌大全KBU406，下面我们就以ASEMI品牌KBU808(G)来详细的说一下它的命名方法：
KBU808（G）其中KBU表示的是一种KBU封装形式，其封装从6A-25A之间都有，而8表示的是正向整流电流，整流桥堆的用途就是作整流用，所以8表示的是其***基本***主要的参数，而后面的08表示的是反向电压，即一个整流可以承受的反向电压，它表示的是在此电压范围内，整流桥都可正常使用，而不支损坏。后面的G表示的是GPP封装工艺，区别于之前的酸洗工艺，因酸洗工艺现已基本不再使用，故后面带G的表示法也基本不再出现。
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摘要 : 想知道如何提高开关电源的效率吗？想知道怎样才能快速提高开关电源的效率吗？强元芯ASEMI现在就来教你小技巧。深圳市强元芯电子有限公司，国产整流桥品牌KBU406，是台湾ASEMI品牌在大陆的***商，我们一直坚
导读：想知道如何提高开关电源的效率吗？想知道怎样才能快速提高开关电源的效率吗？强元芯ASEMI现在就来教你小技巧。深圳市强元芯电子有限公司，是台湾ASEMI品牌在大陆的***商，我们一直坚持“客户至上”的经营理念，用心生产每一个产品。
下面就跟着强元芯小编一起来学习吧~
1、在开关电源次级输出端的肖特基上并一个小功率快速二极管来代替RC吸收，效率一般可以提高1~2个点。
2、在体积和面积的允许下，KBU406，尽量选用PQ RM型的变压器，在安规允许的情况下，变压器不加挡墙效率可以得到提升。
3、输入和输出的电解容量值。
AC输入整流电解容量低时效率会低0.2~1个点，整流桥品牌KBU406，何为低？用示波器看AC输入整流后纹波，小于10W功率，纹波10~30V为佳，大于10W纹波在5~20V为佳。
4、主电流回路PCB尽量短。
5、优化变压器参数设计，减少振铃带来的涡流损耗。
6、合理选用开关器件。
7、输入EMI部分优化设计。
8、选择效率高的拓补结构。
9、选择好的电解电容。
10、启动部分功耗设计。
深圳强元芯电子有限公司！12年专注电源领域，用心做好每一个产品：所有材料均采用台湾进口晶圆-波峰GPP芯片及进口优质PC材料一次性浇铸成型，使得产品具有良好的散热性及稳定性，可信赖性。
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摘要 : 常有客户来电咨询ASEMI半导体的工艺详细流程是什么样子的？有没有相关的文案可以看下，今天ASEMI半导体特地整理出此文，方便广大客户了解与学习。
常有客户来电咨询ASEMI半导体的工艺详细流程是什么样子的？有没有相关的文案可以看下，今天ASEMI半导体特地整理出此文，方便广大客户了解与学习。
首先要介绍的是关于半导体的相关知识：首先是是本征材料，本征材料也就是本征半导体，是指完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体，也就是纯硅；第二个是N型硅，N型硅会掺入Ⅴ族元素--磷、锑；第三个是P型硅，P型硅会掺入Ⅲ族元素--硼；***后一个PN结，PN结相信大家都比较熟悉，一块一侧掺杂成P型半导体，另一侧参杂成N型半导体，中间二者相连的接触面称为PN结。
那么接下来要讲的就是半导体元件的制造过程，可分为两段。前端制程是晶圆处理制程和晶圆针测制程；后端是构装和测试制程。ASEMI半导体的半导体元件晶圆处理制程都是采用进口晶圆，加辅以进口晶圆扩散仪器进行处理，测试制程更是引进台湾KK设备健鼎设备进行一体化测试。
晶圆的处理制程主要工作是在矽晶圆上制作电路与电子元件，是所有制程中技术***复杂、资金投入***多的过程，有的晶圆步骤可达数百道。晶圆针测则是在晶圆通过了Wafer Fad之后，晶圆形成一格格小格的状态下，一一通过针测仪器以测试其电气特性，这个时候不合格的晶粒就会在这个环节被标上记号，并且在后续步骤中被舍弃。
构装制程是利用塑胶或者陶瓷包装晶粒与配线进行封装，ASEMI半导体在此环节所采用的玻璃钝化工艺进行构装。后续的测试制程就是各个品牌选用不同程度的仪器进行测试，ASEMI半导体所采用的健鼎设备可以一次性测试六个参数，降低了多次测试损坏元器件的几率，大大提高了出厂合格率。
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