PEDOT厂-畅宏科技抗静电剂-北京PEDOT

导电聚合物的导电机理

聚合物分子导电应具备的必要条件是：分子链应该是一个大竹共轭体系(共轭双键或共轭与带有未成键P轨道的杂原子N、s等偶合)与金属导电需要自由电子和供电子运动的轨道一样，聚合物的导电也需要有电荷载体和可供电荷载体自由运动的分子轨道，由于大多数聚合物本身不具有电荷载体，导电聚合物的所必需的电荷载体是由”掺杂”过程提供的。关于掺杂后导电聚合物的导电机理，目前比较成熟的观点可用下图(二)加以简要说明。

RD9003：RD9004：PEDOT/PSS导电液 Poly（3，4ethylenedioxythiophene）/poly（styrenesulfonate）CAS:155090-83-8 固体含量1.3~1.7%

RD9001：3，4-乙烯二氧s吩 EDOT CAS:126213-50-1 99%

RD9002：聚b乙烯磺酸钠 （PSS） Poly（sodium-p-styrenesulfonate）　 CAS:25704-18-1 固体含量25%

RD9003：聚b乙烯磺酸水溶液（PSS溶液） Polystyrene sulfonic acid CAS:28210-41-5 18%-20%水溶液

RD9004：PEDOT/PSS导电液 Poly（3，4ethylenedioxythiophene）/poly（styrenesulfonate） CAS:155090-83-8 固体含量1.3~1.7%

RD9005：2，2"-联p啶-4，4"-二甲酸 2，2"-Bipyridine-4，4"-dicarboxylic acid CAS:6813-38-3

RD9006：二草酸硼酸锂（LiBOB） Lithium bis（oxalate）borate CAS:244761-29-3 99%

RD9007：全甲j二茂铁 BIS（PENTAMETHYLCYCLOPENTADIENYL）IRON CAS:12126-50-0

RD9008：全甲j二茂铁六氟磷酸盐 Decamethylferrocene hexafluorophosphate CAS:54182-44-4

RD9009： 对二甲B二聚体（N粉） CAS：1633-22-3 99%，

RD9010：二氯对二甲B二聚体 （C粉） CAS：28804-46-8 99.5%，

RD9011：四氯对二甲B二聚体 Parylene D （D粉） CAS：30501-29-2 98%，

RD9012：派瑞林 F 二聚体 Parylene F （F粉） CAS：1785-64-4 98%

RD9013：N-乙烯基咔C N-Vinyl carbazole CAS：1484-13-5 98.5%

RD9014：4，PEDOT哪家好，5-二氮芴-9-酮 （DAFO） 4，5-Diaza-9H-fluoren-9-one CAS：50890-67-0 DAFO可以替代DFO，PEDOT厂，99%，

在柔性PV中，***常用的FTE是金属掺杂的金属氧化物（Metal doped metal oxide，MMO），例如铟掺杂的氧h锡（ITO）。然而，ITO在塑料基板上存在机械脆性和导电性差问题；另外，通过高温真空溅射法制备MMO，使得MMO价格昂贵，且与印刷和卷对卷不兼容。作为MMO的替代物，聚（3，4-亚***二氧s吩）：聚（b乙x磺酸）（PEDOT:PSS）薄膜的成本相对较低，并且具有高的光学和电学特性，优异的热稳定性，北京PEDOT，良好的柔韧性等。在前期的工作中，我们报道了高温甲磺酸方法和转移PEDOT:PSS方法，基于P3HT:PCBM和PBDTT-S-TT:PC71BM柔性OSC分别表现了3.92%[1]和6.42％[2]的能量转换效率（PCE）。这种OSC器件的PCE和机械柔性有待进一步加强。

尽管强酸处理能显著提高PEDOT:PSS薄膜的导电率，PEDOT价钱，但大多数强酸处理易***塑料衬底，影响器件的机械柔性。为了制备高导电性PEDOT:PSS并避免***塑料衬底，一条路线是使用转移-印刷方法。然而，转印-印刷工艺复杂苛刻，要严格调控界面间的范德华力。另一种途径是制备金属/ PEDOT：PSS的双层结构的电极。利用金属薄膜提高电极的方块电阻，然而，PEDOT:PSS薄膜的导电率（500-1000 S/cm）有待提高；另外，PEDOT:PSS水分散体酸性强（pH=1），对金属有腐蚀***作用，会降低电极和器件的性能。而室温温和甲磺酸处理为制备高性能柔性的PEDOT:PSS 的塑料电极提供了一条简单而有效的途径。

与强氧化性和强溶解性的H2SO4和HNO3处理不同，无强氧化性和无强溶解性的甲磺酸不会氧化***塑料衬底的柔性，从而保护了塑料衬底。与先前报道的高温甲磺酸处理相比较，这种低温条件下的甲磺酸可进一步***酸对塑料衬底的***，不会急剧去除PSS成分而使薄膜粗糙，能诱导出功函更匹配的PEDOT:PSS电极（≈4.91 eV）。我们期望利用这种简单的低温温和酸处理策略，实现全溶液加工﹑高能量转换效率和柔性的OSC器件的研制。