ENJ2005-C晶体管图示仪
系统特征：
● IV曲线显示/局部放大
● 程序保护***大电流/电压,以防损坏
● 品种繁多的曲线
● 可编程的数据点对应
● 增加线性或对数
● 可编程延迟时间可减少器件发热
● 保存和重新导入入口程序
● 保存和导入之前捕获图象
● 曲线数据直接导入到EXCEL
● 曲线程序和数据自动存入EXCEL
● 测试范围广（19大类、27分类）
曲线测试：
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
*** vs. VGS at fixed ID
*** vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS / HFE vs. IC
BVCE（O,S,R,V） vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE（SAT） vs. IC
VBE（SAT） vs. IC
VBE（ON） vs. IC （use VBE test）
VCE（SAT） vs. IB at a range of ICVF vs. IF
测试参数：
漏电参数：IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)
击穿参数：BVCEO、BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、 BVGKO
增益参数：hFE、CTR、gFS
导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)
关断参数：VGSOFF
触发参数：IGT、VGT
保持参数：IH、IH+、IH-
锁定参数：IL、IL+、IL-
混合参数：***ON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
间接参数：IL
配置规格：
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配置 |
规格/环境 |
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主极电压 |
1mV-2000V |
尺 寸 |
450×570×280（mm） |
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电压分辨率 |
1mV |
质 量 |
35kg |
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主极电流 |
0.1nA-50A |
工作电压 |
200V-240V |
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扩展电流 |
100A |
电源频率 |
47Hz-63Hz |
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电流分辨率 |
0.1nA |
工作温度 |
25℃-40℃ |
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测试精度 |
0.2%+2LSB |
通信接口 |
RS232 USB |
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测试速度 |
0.5mS/参数 |
系统功耗 |
<150w |
测试范围：
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01 |
二极管 / DIODE |
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02 |
晶体管 / NPN型/PNP型 |
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03 |
J型场效应管 / J-FET |
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04 |
MOS场效应管 / MOS-FET |
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05 |
双向可控硅 / TRIAC |
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06 |
可控硅 / SCR |
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07 |
绝缘栅双极大功率晶体管 / IGBT |
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08 |
硅触发可控硅 / STS |
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09 |
达林顿阵列 / DARLINTON |
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10 |
光电耦合 / OPTO-COUPLER |
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11 |
继电器 / RELAY |
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12 |
稳压、齐纳二极管 / ZENER |
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13 |
三端稳压器 / REGULATOR |
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14 |
光电开关 / OPTO-SWITCH |
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......其它器件共19大类27分类 |
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