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半导体陶瓷电容器是表面层陶瓷电容器，电容器的微小型化，即电容器在尽可能小的体积内获得尽可能大的容量，这是电容器发展的趋向之一，对于分离电容器组件来说，微小型化的基本途径有两个：使介质材料的介电常数尽可能提高；使介质层的厚度尽可能减薄。

在陶瓷材料中，铁电陶瓷的介电常数很高，但是用铁电陶瓷制造普通铁电陶瓷电容器时，陶瓷介质很难做得很薄，首先是由于铁电陶瓷的强度低，较薄时容易碎裂，安规陶瓷电容器厂商，难于进行实际生产操作，其次，陶瓷介质很薄时易于造成各种各样的***缺陷，生产工艺难度很大。

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陶瓷叠片电容器于1960年左右作为商品开始开发。到了1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，成为电子设备中不可缺少的零部件，现在的陶瓷介质电容器的全部数量约占电容器市场的70%左右。

陶瓷介质电容器的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠，陶瓷材料有几个种类，自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出陶瓷电容器领域，安规陶瓷电容器供应商，现在主要使用TiO2、BaTiO3，CaZrO3等，和其它的电容器相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点。

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随着开关电源技术的发展，开关电源产品逐渐趋于高频化、小型化，电源芯片外围电路也已相当精简，然而在这些精简的电路中，总是会在系统输入端看到电解电容和陶瓷电容组合使用，且他们的位置距离芯片比较近，这是为什么呢？东莞市纳仕特电子科技有限公司为您解答。

由于材质与结构不同，电解电容通常用于滤除低频纹波和提供瞬态大电流，陶瓷电容通常容量都比较小，主要用来滤除高频杂波，所以在输入端添加陶瓷电容的主要目的就是让它滤除输入端的高频杂波，避免这些无益的高频杂波进入芯片，造成芯片功能异常或损坏，且电容越靠近芯片的VIN和GND引脚，滤波效果就越好。

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