AO3407 P沟道增强型功率MOSFET
该AO3407采用***的沟槽技术，提供优良的***（ON），该装置适用于负荷开关或在PWM应用。
总体特征
●VDS =-30V，id = -4.1A
***（ON）＜95mΩ@ VGS = -4.5v
***（ON）< 65mΩ@ VGS = - 10V
●高功率和电流处理能力
●无铅产品获得
●表面贴装封装
应用
●PWM应用
●负荷开关
●电源管理
深圳市浩畅半导体有限公司成立于2008年, ***研发、生产、销售半导体分立器件及IC。选购国内外***半导体厂家的晶圆芯片，OEM委托国内半导体封装大厂生产加工。
主营贴片二、三极管系列，高、低压MOS系列，电源管理IC（AC-DC/DC-DC)， LDO低压差线性稳压器，三端稳压IC，基准源IC，LED驱动IC，***、升压IC，电压检测，运算放大器，电压比较器，时基电路，功放电路，可控硅，整流桥等系列产品。