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厦门渤格电气技术有限公司

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厦门渤格电气技术有限公司是一家专业提供工业自动化领域的备件服务商,产品品种齐全、价格合理,公司实力雄厚,重信用、守合同、保证产品质量,以多品种经营特色和薄利多销的原则,赢得了广大客户的信任。 我们主营PLC可编程控制器模块,DCS卡件,ESD系统卡件,振动监测系统卡件,汽轮机控制系......

CPU模块DCP10

产品编号:648688332                    更新时间:2019-05-29
价格: 来电议定
厦门渤格电气技术有限公司

厦门渤格电气技术有限公司

  • 主营业务:AB,ABB,GE,本特利,福克斯波罗,霍尼韦尔,英维斯,西...
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产品详情

本公司***销售大型进口各种品牌DCS系统模块备件:BENTLY NEVADA3500/3300,AB,ABB Advant OCS,ABB MOD 30/MODCELL,ABB MOD 300,ABB Bailey INFI 90,ABB Procontic,ABB Procontrol,Rosemount RS-3,Yokogawa Centum XL,Yokogawa microXL,FOXBORO I/A,Westinghouse,Ovation,Honeywell QCS,Honeywell TDC系列,Honeywell S9000,HITACHI,Mitsubishi PLC,Motorola MVME,ALSTOM MVME,Other VME,TOSHIBA,HP,Yaskawa,FANUC等大型模组,有着充足的库存,交货期快,查询。

ABB  DCP10

ABB  DCP10

ABB  DCP10

 

 0 引言
  随着数据处理系统智能化程度的越来越高,经常需要在无人干预的情况下,自动加载某些数据或参数到系统工作单元,以保证系统的正常工作。这些数据或参数通常都以数据文件形式保存在大容量、低功耗、可快速重复擦写的存储器中,而且掉电后数据不丢失,以便用户根据需要随时读取。S29AL016D70能很好的满足这些需求。
  1 闪存S29AL016D简介
  1.1 主要性能
  S29AL016D70是Spansion公司生产的容量为2Mx8 bit/1 Mx16 bit的闪存器件,该器件采用3 V供电,访问时间为70 ns,工作温度范围为-40℃~125℃,静态电流200 nA,读数据电流为9 mA,擦写数据电流为20 mA可擦写次数在一百万次以上,具有存储容量大,速度快,功耗低等优点。S29AL016D的芯片逻辑图如图1所示。其中,A0~A19和D0~D15分别为地址线和数据线,CE为片选信号,低有效;OE为输出使能信号,低有效;WE是写选通信号,低有效;BYTE为8位或16位数据模式选择端,低电平为8位,高电平为16位。采用8位模式时,DO~D7为有效数据线,D15为地址线:RY/BY为准备好和忙状态输出。S29AL016D70内部包括35个数据段(Sector),其中段0到段30为64 KB,段31为32KB,段32、33为8 KB,段34为16 KB。
  1.2 操作模式
  S29AL016D70的操作模式如表1所列,实际工作中,经常用到的操作包括片擦除、段擦除、写入数据、读出数据等。
  2 应用设计
  2.1 硬件设计
  根据设计需要,可利用数字信号处理器DSP通过双口RAM和232串行通信获得数据,并将数据保存在FLASH对应地址。
  FLASH的数据读写有8位数据读写和16位数据读写两种方式。
  利用232串口通信时,收发的数据大多都是8位。若在16位数据工作模式下,直接写入要浪费一半存储区,否则需将两个8位字节数据拼成一个16位字数据再写入,也会消耗很多工作时间,而采用8位数据工作模式,则不需要进行数据拼接,使用比较方便。因此,实际工作中,大多采用8位数据工作模式。同样,双口RAM也采用8位数据的双口RAM,设计中可使用IDT7132。图2所示是其硬件连接原理图。
  工作中,若采用16位数据工作模式,只需将FLASH芯片的BYTE脚接至高电平即可。
S29AL016D的操作模式
  2.2 操作模式
  要向FLASH写入数据,必须先对FLASH进行擦除操作。擦出操作可通过给FIASH芯片写入擦除指令时序来完成,擦除的结果是将FLASH存储区中所有数据变为0ff(8位)或0ffff(16位),这样,可以方便地写入数据。
  擦除操作分为片擦除和段擦除两种。片擦除为整片擦除,段擦除只擦除指定段。为使用方便,在擦除某段数据时,应保证其他段数据不受影响。因此,软件多采用段擦除模式。其代码如下:
  段擦除函数(flash基地址为0b0000000);
  void erase_flash(unsigned int sector_num)//sector为段号片擦除函数可参照编写
  {
  将数据保存在FLASH中后,若要对擦除后的段数据地址执行写操作,也可以通过给芯片写入编程操作时序来完成。写操作的结果是将地址总线指定地址的数据相应位1变为0,通俗的说,就是擦除后的数据各位都为1,
进行擦除和写入操作时,应在进行写入时序操作时,对寄存器的偏移地址左移一位进行操作,这是因为8位数据工作模式下,芯片地址线的***低位为A-1,而处理器地址线的***低位为A0;若是16位数据操作模式,寻址寄存器时,则不需要进行移位操作。
  此外,16位数据操作模式和8位数据操作模式在编写指令时序时也有区别,即写入寄存器的指令的位数要和数据位数相同,如8位指令为:*(int*)(Oxb0000000+(0555<<1))=080,而16位指令应为:*(int*)(0b0000000+0555)=08080。
  3 结束语
  应用本文的设计可以成功地完成对FLASH的各种操作,实现向FLASH中保存数据的功能。事实上,各厂家生产的FLASH在性能上和使用方法都有所不同,S29AL016D除了速度快、容量大之外,还有一个特点就是可选择性地进行8位或16位数据操作。但在软硬件设计上要做些相应改变,笔者根据工作实践写出一点体会,希望能给同行提供帮助。
写操作是将待写入数据的不为1的位变为0。其写操作函数如下:
 
6ES7416-2XL00-0AB0
 
 KF77 R37 DRS71S4/RS
 
 S30A-4011BA 
 
MDD 112A-N-020-N2L-130PAO
 
 BUS6-VC-0C-0069 
 
EVS9324-EP 00472187 
 
 EZN 3 A0055H045 
 
6DS1312-8BB 
 
 1FK7083-5AH71-1EH2
 
 MDSKABS071-22 390V-Motor
 
  DME4000-119  
 
  HJGA HJX3B400 3VL4140-3RR30-0AA0 
 
  40E08-C999AABAA0AA 
 
Troester TRISAG Baugruppe m. Steckanschlüssen  
 
  6SN1123-1AB00-0AA2  
 
  MDS60A0040-5A3-4-00 
 
EBERLE PLS 511 04 
 
  6ES5 928-3UA21 
 
  6SC6120-0FE00 
 
TE 1-104505-2  
 
  DDS3.1-W030-D 
 
  6ES5 928-3UA21  
 
  ***0S-0403CA010  
 
  HOMAG 15.F1.R30-4A29 Ver.-No.4.008-39-2372 V2.0 17 
 
  A06B-6090-H003  
 
  6DS1408-8BA  
 
 6***3617-1JC20-0AX1  
 
  6ES5308-3UC21   
 
  MDS60A0040-5A3-4-00  

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