霍尼韦尔 51308363-175 CC-TAIX01
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DDR3的新动态ODT特性具有针对不同的负载条件优化终结电阻值的灵活性，这样可以改善信号完整性，它还提供了管理终结功耗的一种方法。动态O
DT使DDR3器件能无缝地改变针对不同模块发出的“WRITE”命令之间的终结电阻值。该特性是DDR2系统所不能提供的，在同一个器件上，DDR2需要总线空闲时间来改变终结电阻值。
5．主复位
主复位是一种新的DDR3特性。主复位功能改善了系统的稳定性，它消除了未知的启动状态，保证具有确定性的初始化和***状态。这使控制器免除了确保不发出***命令的负担。这种新功能在不需要单独复位每个控制寄存器或关断每个器件电源的条件下，就能清空DDR3存储器上的所有状态信息。在使器件进入到一个确定的状态时，这既能节省时间，又能节省功耗。DDR3复位功能在冷启动和热启动下都是可以实现的。
行业应用
DDR3***初目标是运算和图形密集型应用，例如***台式电脑和工作站，在这些应用中需要处理大量的信息，以在屏幕上产生栩栩如生的图像，改善用户体验。DDR3附加的和写等待方案还能改善服务器应用中命令总线效率。该市场对DDR3的需求将可能在下一年度开始增长。笔记本对DDR3的需求也有望在下一年加速，因为笔记本要求更低的系统功耗。在其他应用中对DDR3的需求，例如网络和数字电视，在2010年也将增长。
市场研究师预测DDR3在2008年将占30%的DRAM市场，在2009年将取代DDR2。美光公司的DDR3存储器目前已经可以提供样片，2008年将批量供货。初期，将针对所有应用构建DDR3模块，开始将提供针对台式应用的UDIMM(2007年)，然后再是针对笔记本应用的SODIMM(2008年)，在2008年下半年将推出针对服务器应用的RDIMM。***终将在2009年推出VLPDIMM。
美光的DDR3产品利用业界***的78nm工艺技术生产，完全符合JEDEC规范。当前正在批量生产，美光的1GBDDR3器件可以提供一系列的配置(x4、x8和x16)。这些器件将支持从512MB到4GB的模块密度，以及各种模块类型，包括UDIMM、SODIMM和RDIMM。美光公司的2GBDDR3器件还有望在2007年夏季实现甚至更高密度的应用。
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