ABB DCS AC800M模块 CI861K01 CI858K01
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软件驱动的主要工作是配置DMA模块以及FLASH控制模块，当传输完成，检测到中断后，软件查询状态寄存器，其中的状态位来自FLASH。当一次操作完成后，控制器自动向FLASH发出查询状态的命令070，读出的状态字保存在控制器的状态寄存器中。
4NANDFLASH系统启动的传统模式
目前支持从NANDFLASH启动的SoC芯片中，一般都内嵌有片卜存储器。各个处理器厂商对这块片上存储器定义的容量大小有所不同，但
是启动模式都是比较一致的。NANDFLASH按页顺序读取的方式，意味着对当前的存储地址访问后就无法马上再次访问，需在当前页访问完成后，重新对此页访问时，才可对先前的地址单元再次访问，这就导致了一些程序语句无法执行，譬如跳转、循环等语句的使用。因此NANDFLASH仅作为启动代码的存储区，而真正执行的存储器区域是内嵌的片上存储器或者片外的SDRAM。
以上文中描述的控制器为例，按照这种启动模式，程序搬运以及执行的过程如下：
系统上电前，外部硬线NANDBOOT开关选择从NANDFLASH启动。芯片设计时，默认DMA占有系统总线，DMA按照配置寄存器的默认值工作，其源地址指向NANDFLASH，目标地址指向片上SRAM，NANDFLASH控制器在NANDBOOT选中的情况下，默认向NANDFLASH的首页发出读命令。即上电后，DMA控制器以及NANDFLASH控制器默认的把FLASH存储器中的***页搬到了片上SRAM中。一直到DM
A的工作完成前，ARM核无法占用总线。此时零地址映射在片上SRAM，DMA完成搬运后，ARM开始执行程序。此段代码完成的工作包括对SDRAM控制器的初始化，从NANDFLASH搬运核心代码至SDRAM，配置地址重映射寄存器至零地址处，***后将PC指向零地址的SDRAM。在SDRAM执行的代码开始真正启动系统。
5NANDFLASH系统启动的新方法
一般情况下，片上存储器在作为启动代码转移阶石的同时，往往在启动后也有其特殊的作用。可以作为特殊的程序区，譬如在进行MP3***过程中，核心***函数作为频繁调用的程序，可以安排在片上SRAM中，以提高读取速度，提升系统性能。在SoC芯片开发过程中，在整体架构以及模块功能的变化之后，这块内嵌的SRAM失去了原来的作用，而仅作为NANDFLASH启动时的代码跳板，对于整个芯片而言，付出的代价比较大。于是提出了在没有片上存储器的架构下，从NANDFLASH启动的一种新模式。
在上述一般模式启动过程中，片上SRAM所起到的作用，就是执行NANDFLASH中***页的代码，将真正的启动代码引入到SDRAM，***后将PC指针指向SDRAM。在失去片上SRAM的支持后，可以在控制器的FIFO中去执行此段代码，这需要在硬件以及软件代码中作出适当的改变。
(1)首先需要改变的是地址映射的机制，系统上电后，ARM即从零地址开始执行指令，零地址映射到NANDFLASH的FIFO入口地址，地址的译码过程由AMBA总线模块完成。在外部硬线NANDBOOT拉高的条件下，AMBA从设备地址译码模块在启动过程中，将零地址的设备选择权给到缓冲FIFO。在***页的指令执行完毕后，PC指针也指向SDRAM。
(2)其次是NANDFLASH控制器在启动过程中，对数据的读取方式。鉴于NANDFLASH大批量数据读写的特性，往往采用DMA方式对数据进行操作。启动过程中，由ARMcore直接向FIFO读取数据，在FIFO读空的情况下，将从没备READY信号拉低，等待NAND中的数据读出。并且在此读取过程中，DMA的请求被屏蔽。
(3)NANDFLASH型号类型众多，从每页容量大小、数据宽度、地址级数以及各型号芯片不同的时序参数，决定了一个控制器接口的兼容性要求相当的高。为了兼容从不同的NANDFLASH启动，设置了4根硬线作为选择。NANDBOOT选择是否从NANDFLASH启动；PAGESIZE选择每页大小，支持512B／page，2kB／page；IOWIDE选择数据端口的宽度，支持8位、16位；AD-DRE***YCLE选择发送地址级数，支持3级、4级、5级地址。时序参数的配置值可以采用默认的宽松值，在读取首页信息之后，将配置值根据当前的时钟频率以及芯片类型，选择舍适的时序值以达到***佳的性能。
(4)存储器首页的代码是在缓冲FIFO中执行的，FIFO的入口地址是一个高24位的选通地址，因此当系统启动时，零地址开始增加，
对FIFO中渎出的指令而言，低8位地址的变化是无关的，FIFO始终被选通。指令的输出是默认的顺序输出。这就要求首页的代码中不可以出现循环、跳转等语句，并且要求在128条指令内完成需要的操作。
6启动代码和流程的分析
上述的汇编程序即是存放在NANDFLASH首页的启动代码，启动的流程如下：
(1)配置DMA控制器的4个寄存器，通道使能后，等待FLASH发出的搬运请求；
(2)配置NANDFLASH控制器的3个寄存器，选择适合的地址、时序参数与所用的FLASH芯片吻合；
(3)分别在r8～r11中放入程序需要的备用值；
(4)将需要在S
DRAM中运行的4条指令搬入SDRAM030000000处；
(5)执行Nop指令，Nop指令用于填充一页NANDFLASH中的剩余空间；
(6)执行在页末的指令，将PC指针指向SDRAM的030000000处；
(7)执行SDRAM中的指令，首先启动NANDFLASH的数据传输，将程序搬往SDRAM的030001000处。其次执行一个循环语句，等待***页的程序搬完，之后将PC指针指向030001000处，启动程序从030001000处正式开始执行。
英维思
增强型智能通讯模件 4351B V10.5.2
数字输出模件3664
数字输出模件3604E
数字输出模件3625
脉冲输入模件3511
数字输入模件3503E
模拟输出模件3805E
模拟输入模块3721
远程RXM模块4211
主RXM模块4210
电源模块 8312230VAC
TRICON系统模块3511
TRICON系统通讯卡TCM4351B
TRICON系统卡件 DO3625
TRICON系统卡件DI3503E
TRICON系统卡件MP3008
TRICON系统卡件AO3805E
TRICON系统卡件 AI3721
巴赫曼
PLC-***处理器模块 MPC240 128MB
PLC-数字I/0模块 DIO216
扩展模块***11
接口模块 EM203
输入输出模块 DIO280
接口模块 RS204
模拟量输入模块 PTAI216
电源模块 NT255
数字量输入/输出模块 DIO16-C
背板模块 BS214
数字输入模块 DI232
数字输出模块 DO232
Fastbus模块 FS211/N
主控制器 MPC270
英维思
SIS卡件 AO连接卡9853-610
SIS卡件 AI连接卡9771-210
SIS卡件 DO连接卡9662-610
SIS卡件 DI连接卡9563-810
SIS卡件 电源卡8312
SIS卡件_电源卡,220VAC型号8312
SIS卡件tricon 8312
SIS卡件 DI卡件3503E
SIS卡件_DO卡件,型号3664 RevE6.0
SIS卡件AI卡件3721
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SIS 系统卡件 TRICONEX 3625
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SIS系统 DO卡件3625产品
SIS系统卡件3721
SIS系统AI卡3721
SIS卡件TRICONEX 3721
AI 3721卡件
SIS卡件DO卡件3664
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SIS卡件 数字量输入DI卡 3503E
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SIS系统卡件8312
SIS卡件电源卡件8312
SIS 系统卡件TRICONEX 8312
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SIS电源卡件8312
SIS系统卡9563-810
SIS 系统卡件TRICONEX 9563-810
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SIS卡件_DI连接卡,型号9563-810
SIS系统卡9662-610
SIS卡件 DO接线底板9662-810
SIS卡件9662-610
SIS卡件_AI连接卡,型号9771-210
SIS系统卡9771-210
SIS系统卡9853-610
系统SIS数字量输出 9853-610
数字量输出 9853-610
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SIS系统CPU MP3008
三重化处理器3008
I/O卡件AI3721
I/O卡件DO3625
I/O卡件PI3511
通讯卡件TCM4351B
ITCC控制器triconex 4210
AO模件3805E|tricon|INVENSYS
AO模件3805Etricon
ITCC控制器triconex 4211
ITCC控制器triconexMP3008
ITCC系统电源模块TRICONEX 8312
控制系统配件 SIS扩展机架8111
控制系统配件 SIS 模拟量输入3721
控制系统配件 ESD 系统3805E
控制系统配件 TRICON 控制系统3604E
控制系统配件TRICON 控制系统3664
控制系统配件 TRICON 控制系统4351B
控制系统配件 TS3000 ETP 9761-210
控制系统配件 ESD 系统SIS数字量输入 9563-810
控制系统配件 ESD 系统SIS数字量输出 9853-610
控制系统配件 ESD 系统数字量输出 9662-110
TRICON ESD系统 扩展总线电缆 9000
控制系统配件 振动监测卡 3500/42-01-00
HONEYWELL 51401635-150
abb BRC100
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