技术参数:
1.分辨率:高真空(二次电子)3.0nm at 30kv,8.0nm at 3kv
(背散射电子): 3.5 nm at 30 kV
低真空(低真空二次电子)﹕3.5 nm at 30 kV
2.放大倍数:1 to 1000000×
3.真空系统: 低真空3~2000Pa
4.加速电压0.2KV to 30KV
5.电子束电流1pA—2uA
6.样品室内部尺寸:340mm(宽) x 315mm(深)
7.样品台行程:(5轴马达控制)
X=130mm
Y=130mm Z=100mm
T=-80°到+90°
R=360°连续可调
***大样品高度145mm.
*U型为高低可变真空,H型为高真空电镜