BAW器件所需的制造工艺步骤是SAW的10倍，但因它们是在更大晶圆上制造的，Fbar封装，每片晶圆产出的BAW器件也多了约4倍。即便如此，BAW的成本仍高于SAW。然而，对一些分配在2GHz以上***挑战性的频段来说，BAW是唯i一可用方案。因此，BAW滤波器在3G/4G智能手机内所占的份额在迅速增长。
在BAW-***R滤波器底部电极下方使用的声反射器使其在FBAR面临挑战的频段拥有优化的带宽性能。反射器使用的二氧化硅还显著减少了BAW的整体温漂，该指标远好于BAW甚至FBAR所能达到的水平。由于谐振器位于结实的材料块上，射频模块封装，其散热比FBAR好得多，后者采用一个膜，仅能通过边缘散热。这使得BAW器件可实现更高的功率密度，不久就会有可用于小蜂窝基i站应用10W级器件的问世。
很多芯片本身具有特殊的结构和感应材料，限制了很多芯片采用这种互联方式，比如MEMS传感器、生物检测芯片、有机材料感光光学类、通讯类、医i疗类等。而金凸点比回流焊凸点的导电、导热性能比回流倒装高10倍，金为较软金属，当前业界已开始采用热压超声倒装键合完成金凸点互连，应用于I/O数量较少的芯片封装，其金球倒装工艺简单、成本低、绿色环保，封装，已显示出独特的技术优势和前景。
因这两种类型BAW滤波器的声能密度都很高、其结构都能很好地导限声波，它们的损耗都非常低。在微波频率，BAW可实现的Q值、在可比体积下、比任何其它类型的滤波器都高，射频前端封装厂家，可达：2500@2GHz。这使得即使在通带边缘的吃紧处，它也有极i好的***和插入损耗性能。
虽然BAW和FBAR滤波器的制造成本更高，其性能优势非常适合***挑战性的LTE频带以及PCS频带，后者的发送和接收路径间只有20MHz的狭窄过渡范围。BAW和FBAR滤波器的IDT可做得足够大，以支持4W@2GHz的更高射频功率。BAW器件对静电放电有固有的高阻抗，其BAW-***R变体具有约-17ppm/℃@2GHz的TCF。
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