ABB YPQ202A

　1 引言

　　FPGA凭借其方便灵活、可重复编程等优点而日益被广泛应用；闪速存储器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等优点，在众多领域中也获得了广泛应用。在现代数字电路设计中。经常需要保存大量数据，而Flash存储速度快、体积小、功耗低且价格低廉，可在线电擦写，信息在掉电后不会丢失，因此成为设计人员的***。

　　2 M25P80的介绍

　　Flash是一种具有电可擦除的可编程ROM，可以分为两大类：并行Flash和串行Flash。并行Flash存储量大，速度快；而串行Flash存储量相对较小，但体积小，连线简单，可减小电路面积，节约成本，二者各有其优缺点，可依据实际需要选取。本文开发的系统对速度的要求不是很高，而对电路板的面积要求则较为苛刻，因此系统设计选用了串行FlashM25P80。

　　M25P80是意法半导体推出的一款高速8 Mbit串行Flash，共由16部分组成，每一部分有256页，每页有256个字节。M25P80具有***的写保护机制，读取数据的***大时钟速率为40 MHz。M25P80的工作电压范围为2.7 V～3.6 V，具有整体擦除和扇区擦除、灵活的页编程指令和写保护功能，数据保存至少20年，每个扇区可承受100 000次擦写循环。并行Flash封装通常需要28个以上的引脚，因此，额外支出大，而M25P80采用SO8封装，需要的引脚数较少，从而节省了电路板空间，功率、系统噪声和整体成本等都会大幅度降低，既经济又实用。

　　图1为M25P80的引脚排列，其中Vcc和Vss分别为电源和地，其他6个引脚均可直接与FPGA的I／O引脚相连；写保护引脚W和HOLD挂起引脚，用于数据保护和空闲模式的低功耗运行，若不用可将其置为高电平；S为片选信号，为低电平时表示器件被选中，否则工作在待机状态；Q为串行数据输出，数据在时钟的下降沿输出Flash器件；D为串行数据输入，包括传输指令、地址和输人数据，输入信号在时钟的上升沿锁存Flash器件中。C为串行时钟，由FPGA提供时钟。由于时钟信号速率较高，所以在PCB布线时要特别注意减少干扰，***好采用地线屏蔽。

M25P80的引脚排列

　　3 M25P80的指令操作

　　M25P80共有12条操作指令，所有指令都是8位，操作时先将片选信号(S)拉低选中器件，然后输入8位操作指令字节，串行数据在片选信号S拉低后的***个时钟的上升沿被采样，M25P80启动内部控制逻辑，自行完成相应操作。指令后有时需输入地址字节，必要时还要加入哑读字节，***后操作完毕后再将片选信号拉高。下面简单介绍几条***常用的指令操作。

　　3.1 写使能指令

　　页面编程时，在写寄存器或者擦除之前，必须先使用写使能指令设置寄存器的写使能位。在上电或写使能无效指令操作，以及页面编程、写寄存器及擦除指令完成时，该写使能位复位。写使能指令的时序比较简单，指令0000 0110(06h)在片选信号拉低后的***个时钟的上升沿送入Flash，先输入高位，指令输入完成后立即拉高片选信号，否则Flash的保护机制则认为是干扰信号而不执行该指令。写无效指令与写使能指令类似，只是输入的指令代码为0000 0100(04h)。

　　3.2 读／写状态寄存器

　　状态寄存器在任何时候都可读，即使在页面编程、擦除或者写寄存器时也可读取寄存器，可被连续读取状态寄存器。片选信号拉低后立即送人8位的读寄存器指令，接下来Flash将内部寄存器的数值串行输出，8位寄存器内容反复输出。

　　写状态寄存器的操作步骤：写使能指令输入完成后，拉高片选信号，Flash执行读使能指令设置寄存器。然后拉低片选信号，输入写寄存器指令和数据，随后必须马上拉高片选信号。

　　3.3 读数据指令

　　片选信号拉低后，首先输入8位读数据指令，再输入所要读取内容的24位首地址，地址指向的数据在时钟的下降沿输出。数据输出后，地址自动递增，并指向下一个地址。传输下一个地址指向的数据，当地址达到***高位后自动转向首地址000000h，如此循环，读出Flash中的全部内容，直到片选信号拉高。读数据指令时序如图2所示。

读数据指令时序

　　3.4 页面编程指令

　　在页面编程之前，首先要输入写使能指令，Flash完成寄存器设置后片选信号拉低，输入页面编程指令，紧接着输入编程地址和输入数据。一次***多可输入256字节数据，如果超出则只保留***后输入的256字节。如果输入的地址低8位不全为零，则从输入的地址开始编程，编程至该页***后，再从该页的起始位置开始编写。数据输人完毕后片选信号必须置高。否则不执行页面编程指令。页面编程指令时序图如图3所示。