ABB DO818(3BSE069053R1)
ABB DO818(3BSE069053R1)
ABB DO818(3BSE069053R1)
与程序存储器类似，数据存储器可以位于微控制器内部，或者是外部器件，但这两种情况存在一些差别。有时微控制器内部包含SRAM(易失性)和EEPROM(非易失)两种数据存储器，但有时不包含内部EEPROM，在这种情况下，当需要存储大量数据时，设计工程师可以选择外部的串行EEPROM或串行闪存器件。当然，也可以使用并行EEPROM或闪存，但通常它们只被用作程序存储器。
当需要外部高速数据存储器时，通常选择并行SRAM并使用外部串行EEPROM器件来满足对非易失性存储器的要求。一些设计还将闪存器件用作程序存储器，但保留一个扇区作为数据存储区。这种方法可以降低成本、空间并提供非易失性数据存储器。
针对非易失性存储器要求，串行EEPROM器件支持I2C、SPI或微线(Microwire)通讯总线，而串行闪存通常使用SPI总线。由于写入速度很快且带有I2C和SPI串行接口，FRAM在一些系统中得到应用。表2比较了各类数据存储器的优缺点。
表2比较了各类数据存储器的优缺点
6．易失性和非易失性存储器
存储器可分成易失性存储器或者非易失性存储器，前者在断电后将丢失数据，而后者在断电后仍可保持数据。设计工程师有时将易失性存储器与后备电池一起使用，使其表现犹如非易失性器件，但这可能比简单地使用非易失性存储器更加昂贵。然而，对要求存储器容量非常大的系统而言，带有后备电池的DRAM可能是满足设计要求且性价比很高的一种方法。
在有连续能量供给的系统中，易失性或非易失性存储器都可以使用，但必须基于断电的可能性做出***终决策。如果存储器中的信息可以在电力***时从另一个信源中***出来，则可以使用易失性存储器。
选择易失性存储器与电池一起使用的另一个原因是速度。尽管非易失存储器件可以在断电时保持数据，但写入数据(一个字节、页或扇区)的时间较长。
7．串行存储器和并行存储器
在定义了应用系统之后，微控制器的选择是决定选择串行或并行存储器的一个因素。对于较大的应用系统，微控制器通常没有足够大的内部存储器，这时必须使用外部存储器，因为外部寻址总线通常是并行的，外部的程序存储器和数据存储器也将是并行的。
较小的应用系统通常使用带有内部存储器但没有外部地址总线的微控制器。如果需要额外的数据存储器，外部串行存储器件是***佳选择。大多数情况下，这个额外的外部数据存储器是非易失性的。
根据不同的设计，引导存储器可以是串行也可以是并行的。如果微控制器没有内部存储器，并行的非易失性存储器件对大多数应用系统而言是正确的选择。但对一些高速应用，可以使用外部的非易失性串行存储器件来引导微控制器，并允许主代码存储在内部或外部高速SRAM中。
8．EEPROM与闪存
存储器技术的成熟使得RAM和ROM之间的界限变得很模糊，如今有一些类型的存储器(如EEPROM和闪存)组合了两者的特性。这些器件像RAM一样进行读写，并像ROM一样在断电时保持数据，它们都可电擦除且可编程，但各自有它们优缺点。
从软件角度看，***的EEPROM和闪存器件是类似的，两者主要差别是EEPROM器件可以逐字节地修改，而闪存器件只支持扇区擦除以及对被擦除单元的字、页或扇区进行编程。对闪存的重新编程还需要使用SRAM，因此它要求更长的时间内有更多的器件在工作，从而需要消耗更多的电池能量。设计工程师也必须确认在修改数据时有足够容量的SRAM可用。
存储器密度是决定选择串行EEPROM或者闪存的另一个因素。市场上目前可用的***串行EEPROM器件的容量在128KB或以下，***闪存器件的容量在32KB或以上。
如果把多个器件级联在一起，可以用串行EEPROM实现高于128KB的容量。很高的擦除/写入耐久性要求促使设计工程师选择EEPROM，因为典型的串行EEPROM可擦除/写入100万次。闪存一般可擦除/写入1万次，只有少数几种器件能达到10万次。今天，大多数闪存器件的电压范围为2.7V到3.6V。如果不要求字节寻址能力或很高的擦除/写入耐久性，在这个电压范围内的应用系统采用闪存，可以使成本相对较低。
9．EEPROM与FRAM
EEPROM和FRAM的设计参数类似，但FRAM的可读写次数非常高且写入速度较快。然而通常情况下，用户仍会选择EEPROM而不是FRAM，其主要原因是成本(FRAM较为昂贵)、质量水平和供货情况。设计工程师常常使用成本较低的串行EEPROM，除非耐久性或速度是强制性的系统要求。
DRAM和SRAM都是易失性存储器，尽管这两种类型的存储器都可以用作程序存储器和数据存储器，但SRAM主要用于数据存储器。DRAM与SRAM之间的主要差别是数据存储的寿命。只要不断电，SRAM就能保持其数据，但DRAM只有极短的数据寿命，通常为4毫秒左右。
与SRAM相比，DRAM似乎是毫无用处的，但位于微控制器内部的DRAM控制器使DRAM的性能表现与SRAM一样。DRAM控制器在数据消失之前周期性地刷新所存储的数据，所以存储器的内容可以根据需要保持长时间。
由于比特成本低，DRAM通常用作程序存储器，所以有庞大存储要求的应用可以从DRAM获益。它的***大缺点是速度慢，但计算机系统使用高速SRAM作为高速缓冲存储器来弥补DRAM的速度缺陷。总结了本文提到的各类存储器的特性。需要注意的是，不同类型的存储器的适合情况不同，每种类型都有自己的优点和弱点，所以逐项比较并非总能得到有意义的结果。
本文小结
尽管我们几乎可以使用任何类型的存储器来满足嵌入式系统的要求，但终端应用和总成本要求通常是影响我们做出决策的主要因素。有时，把几个类型的存储器结合起来使用能更好地满足应用系统的要求。例如，一些PDA设计同时使用易失性存储器和非易失性存储器作为程序存储器和数据存储器。把***的程序保存在非易失性ROM中，而把由用户***的程序和数据存储在有电池支持的易失性DRAM中。不管选择哪种存储器类型，在确定将被用于***终应用系统的存储器之前，设计工程师必须仔细折中考虑各种设计因
CI615K01 3BSE000756R1
CI630 3BSE011000R1
CI630K02 3BSE011002R1
CI670 3BHT300017R1
CI810B 3BSE020520R1
CI820-2 3BSE013202A1
CS512 3BUR980009R1
CS513 3BSE000435R1
CS513K02 3BSE004773R1
CS513K04 3BSE055760R1
DI621 3BHT300012R1
DO610 3BHT00006R1
DO630 3BHT300007R1
DSAI133 57120001-PS
DSAI110 57120001-DP
DSAI145 5712001-HA
DSAI146 3BSE007949R1
DSAI155 57120001-HZ
DSAI155A 3BSE014162R1
DSAO110 57120001-AT
DSAO120A 3BSE018293R1
DSAX110 57120001-PC/5, 57120001-PC/6
DSAX110A 3BSE018291R1
DSAX452 ABB Advant OCS
DSBB120 4898 0002-A
DSBC173 57310001-KH
DSBC173A 3BSE005883R1
DSBC174 3BSE012211R1
DSCS140 57520001-EV
DSDI 110 57160001-A/13,57160001-A
DSDI 110A 57160001-AAA
DSDO 120 57160001-AK
DSDO 131 ABB Advant OCS
DSDO110 57160001-K
DSDP150 57160001-GF
DSDX180 3BSE003859R1
DSDX180A 3BSE018297R1
DSDX452 5716075-P
DSPC 452 57310303-A
DSPU131 3BSE000355R1
DSRF186 3BSE004383R1
DSRF187 3BSE004985R1
DSRF199 3BSE019299R1
DSSS171 3BSE005003R1
DSTA 001 57120001-PX
DSTA 001B 3BSE018316R1
DSTA 002B 3BSE018317R1
DSTA 131 57120001-CV
DSTA N013 3BNP000177R1
DSTA002A 3BSE015196R1
DSTA002P 3BSE018331R1
DSTC120 57520001-A/2 IN5752-1001-E/03
DSTC190 57520001-ER/1 IN5752-1001-BP/01
DST***06 57520001-DX/1
DST***52 5751017-A/2
DSTD108 57160001-ABD
DSTD120A 57160001-UD 2668 180-99/1
DSTD190 3BSE004723R1
DSTD197 3BSE004726R1
DSTX180 3BUR980025R1
GJR5250000R0353 07KR91B
GJR5250200R1 07SK90R1 GJR5250200R0001
GJR5250500R5101 23KT92, RTU510
GJR5250800R0202 07DO90-S
GJR5251063P1 ABB Advant OCS
GJR5251500R1101 07MK92
GJR5252100R0101 07KT94
GJR5252100***61 07KT94
GJR5252200R0101 07DC92,07DC92E,07DC***,07DC92B
GJR5252300R0101 07AC91
GJR5252800R0100 07KT95
GJR5252800R0200 07KT95
GJR5253000R0160 07KT97C
3BSC950019R1 TK520V030
3BSC950055R1 TK576V050
3BSC950056R1 TK576V115
3BSC950073R27
3BSC950098R1
3BSE016239R1 PM510V08
AI620 3BHT300005R1
AO610 3BHT300008R1 3BSE018184R1
AX670 3BSE000566R1
CI520V1 3BSE012869R1
CI522 3BSE012790R1
CI522AK06 3BSE018453R1
CI526 3BSE006085R1
CI532V01 3BSE003826R1
CI532V02 3BSE003827R1
CI532V03 3BSE003828R1
CI532V04 3BSE003829R1
CI534V02 3BSE010700R1
CI534V04 3BSE010702R1
CI541 3BSE014665R1
CI541V1 3BSE014666R1
CI560 3BUC98002R0001
CI572 3BSE017712R1
CI610 3BHT300003R1
91 GJR5251600R0202 07AI91C
07KP93 GJR5253200R1161
1KGT005200R0003 23WT90 RTU 510
1SAP111100R0170 TB511-ETH
1SAP212000R0001 TU516 TU516 A
1SAP240000R0001 DI524
1SAP250000R0001 AX522 A
1SAP250300R0001 AI523 AI523B4
1SBP260001R1001 86AR230
1SBP260010R1001 07KR51 07KR51-U3.6
1SBP260011R1001 07 KR 51-P30; 07 KR 51-F12
1SBP260012R1001 07KT51 07KT51-U3.6
1SBP260014R1001 07KR51-A3.6
1SBP260021R1001 07CR41-c12
1SBP260051R1001 ICMK14F1-H08
1SBP260100R1001 XI16E1-b10 XI16E1-E4.0, XI16E1-D02
1SBP260101R1001 XO08R1; XOO8R1-B04
1SBP260104R1001 XK08F1 XK08F1-A3.0 XK08F1-A30
1SBP260105R1001 XO16N1-b20 XO16N1-C3.0
1SBP260110R1001 XC32L1 XC32L1-B4.0
1SBP260150R1001 TC50 ABB Advant OCS
1SBP260512R1001 ICMK14F1 ICMK14F1-I09
1SVR440621R5200 LM012 LM012-CXE18RAC
200-BPN 492897301 ABB Advant OCS
200-CICN 492897801 ABB Advant OCS
200-CIE 492897701 ABB Advant OCS
200-IB16 ABB Advant OCS
200-P***G 492898801 ABB Advant OCS