ABB DI814 3BUR001454R1
FRAM能够提供极高的擦写次数和速度，有效解决了上述问题。Ramtron的 FRAM技术把铁电材料和标准半导体芯片设计及制造技术结合在一起，推出了非易失性存储器和模拟/混合信号产品。这些产品具有快速读/写性能、几乎无限的擦写次数和静态RAM (SRAM) 的超低功耗，并在掉电时能够安全存储数据，这些都是标准RAM技术所无法提供的功能。
FRAM单元采用业界标准CMOS工艺制造，通过两个电极板之间的铁电晶体来形成电容，类似于DRAM电容的构造。但是不像一般的易失性存储器那样把数据作为电容上的电荷来存储，FRAM是把数据存储在铁电晶体内。
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当在铁电晶体上施加一定电场时，晶阵的中心原子在电场作用下沿电场方向在晶体内运动，它通过一个能量壁垒
(energy barrier) 造成电荷尖峰。内部电路感测到这一电荷尖峰，并且设置存储器。电场消失后，中心原子会保持在原来的位置，从而保存存储器的状态。(见图2)。
铁电薄膜放在CMOS基层之上，并置于两电极板之间，使用金属互连并钝化后完成铁电制造过程。(见图3)。
所以，FRAM存储器不需要定期刷新，掉电后仍然会保存数据。它的速度很快，而且实际没有寿命限制。这些特性使它完全能够以***的时间间隔写入数据，从而确保所保存状态的正确性。例如，一个16-Kbit (2K byte) 的器件可以超低功耗在3.3 微秒内被写入。另外，它能够每秒刷新10,000次 (每100微秒写一次)，工作寿命长达25,000小时。
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***近，韩国现代汽车 (Hyundai Autonet) 决定在它的下一代智能安全气囊系统中采用非易失性铁电随机存取存储器 (FRAM)，这正是FRAM技术的优势被***汽车系统供应商逐步接受并用于高安全性应用的又一有力明证。而现代汽车是继美国、亚洲、日本和欧洲另外8家汽车制造商之后，选用FRAM技术来为智能安全气囊系统和相关的碰撞事故数据记录仪提供“智能性”的又一家知名公司。
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