系统特征
● IV曲线显示/局部放大
● 程序保护***大电流/电压,以防损坏
● 品种繁多的曲线
● 可编程的数据点对应
● 增加线性或对数
● 可编程延迟时间可减少器件发热
● 保存和重新导入入口程序
● 保存和导入之前捕获图象
● 曲线数据直接导入到EXCEL
● 曲线程序和数据自动存入EXCEL
● 程序保护***大电流/电压,以防损坏
测试系统指标
1.测 试 电 压： ≤2KV
2.测 试 电 流： ≤50A
3.电 压分辨率： 1mV
4.电流 分辨率： 0.1nA
5.测 试 精 度： 0.2%&plu***n;2LSB
1.3 测试范围
1．双向可控硅（TRIAC）
2．MOS场效应管（Power MOSFET）
3．绝缘栅双极大功率晶体管（IGBT）
4．结型场效应管 （J-FET ）
5．晶体管（Transistor）
6．达林顿阵列(Darliknton)
7．稳压（齐纳）二极管（Zener）
8．二极管(Diode)
9．可控硅整流器（SCR ）
10．三端稳压器（REGULATOR ）
11．光电耦合器（OPTO-COUPLER）
12．双向触发二极管 （DIAC)
13．固态过压保护器（SOVP）
14．继电器（RELAY）
配置规格：
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配置 |
规格/环境 | ||
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主极电压 |
1mV-2000V | 尺 寸 | 450×570×280（mm） |
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电压分辨率 |
1mV | 质 量 | 35kg |
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主极电流 |
0.1nA-50A | 工作电压 | 200V-240V |
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扩展电流 |
100A | 电源频率 | 47Hz-63Hz |
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电流分辨率 |
0.1nA | 工作温度 | 25℃-40℃ |
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测试精度 |
0.2%+2LSB | 通信接口 | RS232 USB |
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测试速度 |
0.5mS/参数 | 系统功耗 | <150w |
测试范围：
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01 |
二极管 / DIODE |
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02 |
晶体管 / NPN型/PNP型 |
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03 |
J型场效应管 / J-FET |
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04 |
MOS场效应管 / MOS-FET |
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05 |
双向可控硅 / TRIAC |
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06 |
可控硅 / SCR |
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07 |
绝缘栅双极大功率晶体管 / IGBT |
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08 |
硅触发可控硅 / STS |
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09 |
达林顿阵列 / DARLINTON |
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10 |
光电耦合 / OPTO-COUPLER |
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11 |
继电器 / RELAY |
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12 |
稳压、齐纳二极管 / ZENER |
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13 |
三端稳压器 / REGULATOR |
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14 |
光电开关 / OPTO-SWITCH |
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......其它器件共19大类27分类 |
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