系统概述
IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件,其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性,直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。
该系统是针对IGBT 器件的开关特性及内部续流二极管 的反向***特性而推出的全自动测试系统。适用于电流 ≯ 1500A,集电极电压 ≯3500V,续流二极管正向电流≯ 2000A的 IGBT 器件的特性参数测试。
参数条件:
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IGBT开通特性测试 |
IGBT关断特性测试 |
测试气动夹具 |
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测试参数
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开通延迟 tdon |
10-1000ns&plu***n;5%&plu***n;10ns |
关断延迟tdoff |
10-2000ns&plu***n;5%&plu***n;10nS |
压 力: |
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上升时间 tr |
10-1000ns&plu***n;5%&plu***n;10ns |
下降时间tf |
10-2000ns&plu***n;5%&plu***n;10nS |
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开通能量 Eon |
1-1000mJ&plu***n;5%&plu***n;0.1mJ |
关断能量Eoff |
1-1000mJ&plu***n;5%&plu***n;0.1 mJ |
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测试条件 |
集电极电压 Vce |
50-3500V&plu***n;5% |
集电极电压Vce |
50-3500V&plu***n;5% |
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集电极电流Ice |
50-1500A&plu***n;5% |
集电极电流Ice |
50-1500A&plu***n;5% |
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负载 L |
20-1000uH |
L负载 |
20-1000uH |
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栅极电压 Vge |
&plu***n;15V&plu***n;3%&plu***n;0.2V |
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短路测试Sct |
一次短路 / 脉宽10uS / 短路电流10KA |
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二极管反向***Drr |
反向***电流 / 反向时间 / 反向di / dt |
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测试系统指标
1.测 试 电 压: ≤2KV
2.测 试 电 流: ≤50A
3.电 压分辨率: 1mV
4.电流 分辨率: 0.1nA
5.测 试 精 度: 0.2%&plu***n;2LSB
1.3 测试范围
1.双向可控硅(TRIAC)
2.MOS场效应管(Power MOSFET)
3.绝缘栅双极大功率晶体管(IGBT)
4.结型场效应管 (J-FET )
5.晶体管(Transistor)
6.达林顿阵列(Darliknton)
7.稳压(齐纳)二极管(Zener)
8.二极管(Diode)
9.可控硅整流器(SCR )
10.三端稳压器(REGULATOR )
11.光电耦合器(OPTO-COUPLER)
12.双向触发二极管 (DIAC)
13.固态过压保护器(SOVP)
14.继电器(RELAY)
