系统特征
● 针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统
● 自动化程度高(按照操作人员设定的程序自动工作)
● 计算机记录测试结果,测试结果可转化为文本或 EXCEL 格式存储
● 采用品牌工控机,具有抗电磁干扰能力强,排风量大等特点
● 测试方法灵活(可***测试器件以及单个单元和多单元的模块测试)
● 安全稳定(PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁)
控制系统:
计算机控制系统
计算机控制系统是该测试设备的中心控制单元,设备有一部分的工作程序、工作时序、开关的动作状态,数据采集等均由计算机完成。计算机
采用研华工业控制机,具有抗电磁干扰能力强,排风量大等特点。
计算机中,装有美国***仪器公司生产的数据采集卡NI PCI6221卡2块,NI PCI6221是一块多功能的数据采集卡,具有三组数据端口,16/8个模拟
量输入端口,两个模拟量输出口、两个定时器计数器。
PLC控制系统
控制系统除工控机外,还采用了欧姆龙系列的PLC,PLC主要对设备的工作时序、开关动作等进行控制,并且与计算机进行通讯,完成了整个系
统的自动控制功能;PLC不仅控制开关的动作,而且对系统中主要开关的工作状态进行实时监控,并与硬件进行互锁,实现了可靠的安全控制功能。
参数条件:
①栅极-发射极漏电流IGES |
④集电极-发射极截止电流ICES |
IGES: 0.1-10uA&plu***n;3%&plu***n;0.1uA |
集电极电流ICES: 0.1-30mA&plu***n;5%&plu***n;0.01mA |
集电极电压VCE: 0V |
集电极电压VCE: 100-3500V&plu***n;5%(选配) |
栅极电压 VGE: 20V &plu***n;3%&plu***n;0.2V |
栅极电压VGE:0V |
②集电极-发射极电压BVCES |
⑤栅极-发射极阀值电压测试VGETH |
集电极电压VCES: 100-3500V&plu***n;5%&plu***n;10V(选配) |
VGETH: 0.1-10V&plu***n;3%&plu***n;0.1V |
集电极电流ICES: 0.1-30mA&plu***n;5%&plu***n;0.01mA |
VGE=VCE |
栅极电压 VGE: 0V |
集电极电流ICE: 30mA&plu***n;3% |
③集电极发射极饱和电压VCESAT |
⑥二极管压降测试VF |
VCESAT:0.1-10V |
VF: 0.1-5V&plu***n;3%&plu***n;0.01V |
栅极电压VGE:&plu***n;15V&plu***n;2%&plu***n;0.2V |
栅极电压VGE:0V |
集电极电流ICE:50-600A&plu***n;5%(选配) |
电流IF:50-600A&plu***n;5%(选配) |
导通电流IC: 50-600A&plu***n;5% |
|
栅极电压VGE: &plu***n;15V&plu***n;0.2V |
测试系统指标
1.测 试 电 压: ≤2KV
2.测 试 电 流: ≤50A
3.电 压分辨率: 1mV
4.电流 分辨率: 0.1nA
5.测 试 精 度: 0.2%&plu***n;2LSB
1.3 测试范围
1.双向可控硅(TRIAC)
2.MOS场效应管(Power MOSFET)
3.绝缘栅双极大功率晶体管(IGBT)
4.结型场效应管 (J-FET )
5.晶体管(Transistor)
6.达林顿阵列(Darliknton)
7.稳压(齐纳)二极管(Zener)
8.二极管(Diode)
9.可控硅整流器(SCR )
10.三端稳压器(REGULATOR )
11.光电耦合器(OPTO-COUPLER)
12.双向触发二极管 (DIAC)
13.固态过压保护器(SOVP)
14.继电器(RELAY)
大功率IGBT动态参数测试系统
轨道机车检修专用IGBT参数测试仪
逆变器IGBT动静态参数测试分析仪
新能源IGBT动静态参数分析仪
MOS场效应管测试仪研发厂家
西安谊邦直供MOS管测试仪
大功率MOS管测量仪
电源MOS测试专用仪器
厂家直供可控硅测试仪
大功率可控硅参数测量分析仪