系统概述
该系统是一套动态综合测试系统、测试参数多、精度高、 具有过流、过热、水压不足等保护功能。具有连续工作的特点，测试程序由计算机控制，程序设定完成后可自动测试， 系统采用内控和外控两种方式。便于工作人员操作。
测试方法符合GB/T29332-2012/IEC 60747-9: 200 及GB4023-83 等相关标准。
采用计算机记录测试结果，并转化为EXCEL文件进行处理。
技术指标：
|
加热电流 |
直流50-500A 显示精度0.1 A&plu***n;3% |
|
|
加热时间 |
20-60s，冷却时间：20-60s |
|
|
散热要求 |
1分钟内完成器件加热到结温降温到40℃的一个循环 |
|
|
热敏测试单元 |
热敏电流 |
50mA-999mA 分辨率0.1mA 精度&plu***n;3% |
|
1A-10A 分辨率0.1A 精度 0.1A&plu***n;3% |
||
|
热敏电压 |
1V-10V 分辨率 1mV精度&plu***n;2% |
|
|
热阻单元 |
功率计算 |
饱和压降 0.3-5V 分辨率 0.01V精度&plu***n;2% 导通电流分辨率0.1 A精度&plu***n;3% |
|
温度采集 |
温度采集单元分辨率0.1℃精度&plu***n;0.1℃热阻测试器件数量为1只。Vce/Ic/热敏电压/壳温各采一路 |
|
|
循环次数 |
1-20000次 |
|
|
按时间控制 |
显示每只器件的壳温，采集壳温的位置依据被侧器件的相应标准规定 |
|
|
按结温控制 |
显示一只器件的结温，6只器件壳温 |
|
|
被测器件 |
6只（二单元串联结构）或1只6单元 IGBT桥模块，IGBT桥模块按三组循环加热、 占空比30%的工作方式进行设计和试验 |
|
|
数据显示 |
计算机显示壳温、试验电流、试验次数、记录结果，并可转为EXCEL文件 |
|
|
脱机显示 |
脱机状态，面板显示6个工位的壳温，试验电流/次数、加热/冷却时间 |
|
|
水路 |
水路的回水采用开放式输出，冷却水路由甲方提供 |
|
|
电源 |
采用全波整流的直流电源，电流大小通过调压器手动调节。被测器件为二单元串联结构 时，采用6只器件串联试验； |
|
|
测试参数 |
可测试器件稳态热阻Rth（J-C) |
|
|
散热 |
设备采用水冷散热 |
|
测试系统指标
1.测 试 电 压： ≤2KV
2.测 试 电 流： ≤50A
3.电 压分辨率： 1mV
4.电流 分辨率： 0.1nA
5.测 试 精 度： 0.2%&plu***n;2LSB
1.3 测试范围
1．双向可控硅（TRIAC）
2．MOS场效应管（Power MOSFET）
3．绝缘栅双极大功率晶体管（IGBT）
4．结型场效应管 （J-FET ）
5．晶体管（Transistor）
6．达林顿阵列(Darliknton)
7．稳压（齐纳）二极管（Zener）
8．二极管(Diode)
9．可控硅整流器（SCR ）
10．三端稳压器（REGULATOR ）
11．光电耦合器（OPTO-COUPLER）
12．双向触发二极管 （DIAC)
13．固态过压保护器（SOVP）
14．继电器（RELAY）
IGBT动静态参数测试系统厂家
大功率IGBT动态参数测试系统
逆变器IGBT动静态参数测试分析仪
变流器IGBT参数测试仪
新能源IGBT动静态参数分析仪
MOS场效应管测试仪研发厂家
西安谊邦直供MOS管测试仪
大功率MOS管测量仪
电源MOS测试专用仪器
厂家直供可控硅测试仪
大功率可控硅参数测量分析仪