系统概述
半导体分立器件作为在电力电子行业中应用***为广泛的基础元件，其性能表现对整个电子电路系统来讲十分重要。选择合适的分立器件就需要该器件能 够承受电路中的电流，满足一定的雪崩耐量。
雪崩耐量即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压 时的抗击穿能力。电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量。但是，一些电源在输 出短路时，初级中会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些 电机的负载是***负载，而启动和堵转过程中会产生极大的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。
该测试系统主要用于 IGBT、FRD、MOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流 200A，电压 4500V，雪崩能量可达 2000J。测试的电压和电 流波形同时被采集到示波器，并由示波器与工控机直接通讯，将采集数据传输给计算机，计算机经过处理后，将测试数据以 EXCEL 表格形式显示并进行***终 的编辑和打印,同时可观测雪崩波形。设备可满足各种封装形式的功率模块测试需求，并预留电压电流扩展功能。
功能指标：
|
配置 |
测试范围 |
测试参数 |
条件 |
范围 |
|
|
电压 |
IGBTs |
EAS/单脉冲雪崩能量 |
VCE |
20V～4500V |
20~100V&plu***n;3%&plu***n;1V |
|
电流 |
MOSFETs |
EAR/重复脉冲雪崩能量 |
Ic |
1mA～200A |
1mA～100mA&plu***n;3%&plu***n;0.1mA |
|
DIODEs |
IAS/单脉冲雪崩电流 |
Ea |
1J～2000J |
1J～100J&plu***n;3%&plu***n;1J |
|
|
PAS/单脉冲雪崩功率 |
IC检测 |
50mV/A（取决于传感器） |
|||
|
***负载 |
10mH、20mH、40mH、80mH、100mH、 |
||||
|
重复间隙时间 |
1~60s可调（步进1s） 重复次数：1~50次 |
||||
测试系统特点
1.图形显示功能
2.局部放大功能
3.程序保护***大电流/电压,以防损坏
4.品种繁多的曲线
5.可编程的数据点对应
6.增加线性或对数
7.可编程延迟时间可减少器件发热
8.保存和重新导入入口程序
9.保存和导入之前捕获图象
10. 曲线数据直接导入到EXCEL
11.曲线程序和数据自动存入EXCEL
12.程序保护***大电流/电压,以防损坏
IGBT动静态参数测试系统厂家
大功率IGBT动态参数测试系统
轨道机车检修专用IGBT参数测试仪
逆变器IGBT动静态参数测试分析仪
变流器IGBT参数测试仪
新能源IGBT动静态参数分析仪
西安谊邦直供MOS管测试仪
大功率MOS管测量仪
电源MOS测试专用仪器
厂家直供可控硅测试仪
大功率可控硅参数测量分析仪