系统概述
交流阻断（或反偏）耐久性试验是在一定温度下，对半导体器件施加阻断（或反偏）电压，按照规定的时间，从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。
一般情况下，此项试验是对器件在结温（Tjm ℃）和规定的交流阻断电压或反向偏置电压的两应力组合下，进行规定时间的试验，并根据抽样理论和失效判定依据，确认是否通过， 同时获
取相关试验数据。
该系统符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、JEDEC标准试验要求。可供半导体器件配以适当的温度可控装置，作交流阻断（或反偏）耐久性/ 筛选试验。能满足IGBT进行高温反偏电耐久性试验、高温漏电流测试（HTIR）和老炼筛选。
系统特征
● 具有对IDRM或IRRM***检测功能，测量结果数字显示，测量精度≤1mA
● 具有漏电流保护***丝（0.1A）及熔断警示装置
● 具有试验电压预设定保护功能
●“自动加电”：老化电源、老化器件试验参数加载均实现自适应程控方式，用户只需调用器件数据库，自动完成试验全过程
● 根据用户需要编辑加电程式，及时发现插反的材料和完成程式试验过程
● 全试验过程计算机监测每个试验器件的试验参数，绘制全过程HTRB/HTIR试验曲线，数据可转换成Excel表格供用户保存和分析
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