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合成法产率低，成本高。改进或找到一种新的合成方法以提高EDOT的产率、降低生产成本是当前科研工作者的主要任务。笔者在合成EDOT的过程中对该方法进行了一些改进，如引入相转移催化剂和沸石分子筛，提高了EDOT的产率。

前一制备单体EDOT的方法为传统意义上的”五步合成法”，也是多年来报道过的唯y方法。该法从工业角度考虑有几大缺点，比如需要强碱、高温，存在致a物质(1、2一二xyw)等。2004年4月瑞典科学家Fredrik von Kieseritzky等提出一种***x且有效制备EDOT的方法。

该法通过2，3-二甲y基-1，3-丁二烯在正己烷溶剂中、于5~C的条件下与SC1：反应制成3，4-二甲y基s吩，然后用对甲bh酸作催化剂与乙二醇反应制得EDOT。该法原料价廉易得、合成简单、条件温和、产率高(60％)，非常适合于工业化生产。这一关键技术的突破将极大促进f吩类导电聚合物的发展。

导电聚合物的导电机理

聚合物分子导电应具备的必要条件是：分子链应该是一个大竹共轭体系(共轭双键或共轭与带有未成键P轨道的杂原子N、s等偶合)与金属导电需要自由电子和供电子运动的轨道一样，聚合物的导电也需要有电荷载体和可供电荷载体自由运动的分子轨道，由于大多数聚合物本身不具有电荷载体，导电聚合物的所必需的电荷载体是由”掺杂”过程提供的。关于掺杂后导电聚合物的导电机理，目前比较成熟的观点可用下图(二)加以简要说明。

PEDOT:PSS HTL在器件中主要起着收集和传输来自钙钛矿光吸收层的空穴的作用[6]。尽管PEDOT:PSS HTL具有透光率优异和制备工艺简单等优点， 但是依然存在两个关键问题[7， 8， 9， 10， 11]有待进一步解决。其一， PEDOT:PSS HTL的导电性能相对较弱， 在其内部电荷无法***地传输，聚***吩报价， 导致HTL和钙钛矿层界面处出现电荷累积， 加大了器件的漏电流[7]; 其二，聚***吩多少钱， PEDOT:PSS HTL表面缺少钙钛矿形核和生长的有利位置以及存在钙钛矿溶液的润湿性问题， 较难获得晶粒尺寸大且覆盖率高的钙钛矿层[8，聚***吩哪家好， 11]。为此， 研究人员尝试引入添加剂对PEDOT:PSS HTL进行修饰。目前已有少量的添加剂用于PEDOT:PSS HTL， 如二甲j亚砜(DMSO)[7]、聚氧h乙烯(PEO)[9]、甲磺酸(MSA)[10]和氧化石墨(GO)[11]， 这些添加剂解决上述两个问题的侧***有所不同。例如，黑龙江聚***吩， DMSO主要是提升PEDOT:PSS HTL的导电性能， 其原因在于DMSO能弱化PEDOT分子链和PSS分子链之间的交互作用， 进而促使PEDOT富集相的形成; GO主要是通过改善钙钛矿溶液在PEDOT:PSS HTL表面的润湿性， 达到降低钙钛矿非均匀形核能的目的。然而， 目前鲜有同时将两种不同功能的添加剂用于修饰PEDOT:PSS HTL的报道。此外， 超级电容器和导电薄膜等领域的研究表明， 具有独特电学和机械性能的碳纳米管(CNTs)能改进PEDOT:PSS膜的导电性能[12， 13]。同样值得借鉴的是Zhang等[14]的研究工作， 他们发现将CNTs掺入钙钛矿层能促进晶粒的生长。