半导体陶瓷电容器是表面层陶瓷电容器,陶瓷电容代加工,电容器的微小型化,即电容器在尽可能小的体积内获得尽可能大的容量,这是电容器发展的趋向之一,对于分离电容器组件来说,微小型化的基本途径有两个:使介质材料的介电常数尽可能提高;使介质层的厚度尽可能减薄。
在陶瓷材料中,铁电陶瓷的介电常数很高,但是用铁电陶瓷制造普通铁电陶瓷电容器时,陶瓷介质很难做得很薄,首先是由于铁电陶瓷的强度低,较薄时容易碎裂,难于进行实际生产操作,其次,陶瓷电容,陶瓷介质很薄时易于造成各种各样的***缺陷,陶瓷电容生产工艺,生产工艺难度很大。
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安规陶瓷电容具有耐磨直流高压的特点,适用于高压旁路和耦合电路中,其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗,特别适合在电视的接收机和扫描等电路中使用,安规陶瓷电容的用途主要分为送电、配电系统的电力设备和处理脉冲能量的设备。
在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器,要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点,近年来随着材料、电极和制造技术的进步,高压陶瓷电容器的发展有长足的进展,并取得广泛应用,高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。
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陶瓷叠片电容器于1960年左右作为商品开始开发。到了1970年,随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来,陶瓷电容电话,成为电子设备中不可缺少的零部件,现在的陶瓷介质电容器的全部数量约占电容器市场的70%左右。
陶瓷介质电容器的绝缘体材料主要使用陶瓷,其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠,陶瓷材料有几个种类,自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后,高介电系数的PB(铅)退出陶瓷电容器领域,现在主要使用TiO2、BaTiO3,CaZrO3等,和其它的电容器相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点。
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