星际金华大量货源销售【【BSP135】N沟道场效应管】100%原装***，质量保证，价格低廉，现货库存，有意者，可以来电咨询陈先生。
产品详细参数：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）120mA（Ta）
驱动电压（***大 *** On，***小 *** On） -
不同 Id 时的 Vgs（th）（***大值） 1V @ 94µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（***大值） 4.9nC @ 5V
Vgs（***大值） &plu***n;20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（***大值） 146pF @ 25V
FET 功能 耗尽模式
功率耗散（***大值） 1.8W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 *** On（***大值） 45 欧姆 @ 120mA，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-223-4
封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA
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