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产品详细参数：
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）21A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）.4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 58nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（C-5250pF @ 15V
功率耗散 3.1W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）4.6 毫欧 @ 21A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PQFN（5x6）
封装/外壳8-PowerVDFN
公司还为您提供以下型号：
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ATZB-A24-UFLBR
ATZB-24-A2R
ATZB-A24-U0R
ATZB-900-B0BR
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10-FZ12NMA080SH01-M260F
10-FZ12NMA040SH-M267F
V23990-P585-A20-PM
V23990-P589-A41-PM
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30-FT12NMA160SH-M669F08
V23990-P629-F72-PM
10-FZ06NPA070FP-P969F
V23990-P543-A-PM
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SN2025YFFR
NX20P3B0UK
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SKY19003-001
MCIMX6U6AVM08AC
EV2300
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