CNI v2.1-纳米压印机
CNI v2.1是一种非常灵活的纳米压印机。它可提供加热型纳米压印、UV紫外纳米压印以及真空纳米压印。模块化系统可根据特定需求轻松配置，体积小，容易存放，***大可处理Ø100毫米（4英寸）所有形状和格式的***和基板。该系统是手动装卸***和基板，但所有处理器都是全自动的，专用软件用户可以完全控制压印过程。
纳米压印机特色：
•体积小巧，容易存放，桌面型；
•轻微***微米和纳米级结构；
•热压印温度高达200°C；
•可选的高温模块，适用于240°C；
•UV 纳米压印，365nm***
•真空纳米压印（腔室可抽真空至0.1毫巴）；
•纳米压印压力高达10巴；
•温度分布均匀、读数精准；
•笔记本电脑全自动控制，工艺配方编辑简单，完全灵活控制，自动记录数据；
•直径***大100毫米（圆形）腔室；
•腔室高度为20毫米，可扩展至45毫米；
•即插即用
•使用简单直观
•专为研发而设计
•提供安装和操作教程视频
纳米压印机应用：过去五年中，石墨烯的气体传感器引起了极大的兴趣，显示出单分子检测。
***近的研究表明，与非图案化层相比，石墨烯的图案化强烈地增加了灵敏度。
通过标准程序生长CVD石墨烯，然后转移到Si/SiO 2基板上进行进一步处理。 如（Mackenzie，2D Materials，[http://dx./10.1088/2053-1583/2/4/045003]中所述，使用物理阴影掩模和激光烧蚀来定义接触和器件区域。
使用软压印在CNI v2.0中进行热纳米压印光刻，将mr-I7010E压印抗蚀剂在130℃，6巴压力下压印10分钟，压力在70℃下释放。
通过反应离子蚀刻将边缘到边缘间隔为120-150nm的大面积图案的孔转移到石墨烯中，并且除去残留的抗蚀剂。
发现器件具有大约的载流子迁移率发现器件在加工前具有约2000cm2/Vs的载流子迁移率，之后具有400cm2/Vs的载流子迁移率处理，同时保持整体低掺杂水平。