星际金华电子公司库存销售 【BSC077N12NS3G N沟道场效应管】 ******行货 价格实在 质量保证
星际金华***促销 【BSC077N12NS3G N沟道场效应管】 原厂*** 实单有接受价可详谈
BSC077N12NS3G参数:
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 120V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)13.4A(Ta),98A(Tc)
驱动电压(***大 *** On,***小 *** On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(***大值) 4V @ 110µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(***大值) 88nC @ 10V
Vgs(***大值)&plu***n;20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(***大值)5700pF @ 60V
FET 功能 -
功率耗散(***大值)139W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 *** On(***大值)) 7.7 毫欧 @ 50A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TDSON-8
封装/外壳8-PowerTDFN
本公司还提供以下产品:
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