MOSFET/场效应管 HC2310产品介绍:
产品型号:HC2310
取代型号:完全取代SI2310
产品封装:SOT-23
产品品牌:HC/浩畅
是否环保:无铅环保
***小包装:3000PCS
N沟道增强型功率MOSFET
漏极-源极电压(VDS):60V
漏极电流(ID):3.0A
漏源电流脉冲IDM:10A
栅源电压(VGS): &plu***n;12V
结温(TJ):150℃
储存温度(TSTG):-55~150℃
耗散功率(PD):1.38W
栅源极开启电压VGS(th):1.0 ~ 2.0V
栅源截至电流IGSS(F/R): &plu***n;100nA
N沟道MOS管的结构及工作原理
N沟道金属-氧化物-半导体场效应管(MOS管)的结构及工作原理
结型场效应管的输入电阻虽然可达106~109W,但在要求输入电阻更高的场合,还是不能满足要求。而且,由于它的输入电阻是PN结的反偏电阻,在高温条件下工作时,PN结反向电流增大,反偏电阻的阻值明显下降。与结型场效应管不同,金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)的栅极与半导体之间隔有二氧化硅(SiO2)绝缘介质,使栅极处于绝缘状态(故又称绝缘栅场效应管),因而它的输入电阻可高达1015W。它的另一个优点是制造工艺简单,适于制造大规模及超大规模集成电路。