星际金华优势原装供应IRFB4710 N沟道场效应晶体管，原厂直销，价格实惠，现货库存！！！
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产品规格：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 170nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6160pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），200W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 14 毫欧 @ 45A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
以下型号均为公司长期出售产品：
MT41J64M16JT-15E
TPS2540ARTER
RF1500
AT88SC6416C
TDA4863-2G
IRS21171
TPS79912DRVR
TPS79925YZUR
DS2480B
MAX1674EUA
MAX1684EEE
MAX3485EESA
MAX4172ESA
MAX8860EUA18
MAX9174EUB
CDCE913PWR
LMC555CM
MSP430F169IPMR
PCA9535RGER
TMS320C25FNL
TPS73701DCQR
TB62747AFG
IRGP30B120KD
IRFB4710
MY2-02
ADS1232IPWR
ISL6520ACBZ
KLMCG8GEND-B031
H26M52103FMR
TQ2SL
AGQ200A4HZ
MIC2214
LTC1771EMS8
EXPI9402PF
LNK302
STM32F103RBT6
以上型号由星际金华长期现货供应产品，价格请以当天询问为主，有意者，可来电联系公司工作人员。我们将竭诚为您服务！！！