星际金华电子现货供应【BFR360F和SI7121DN和SI5853DC场效应晶体管】***进口货源 库粗有大量货源 要的赶紧来电咨询
星际金华热营【BFR360F和SI7121DN和SI5853DC场效应晶体管】量大价优 实单有接受价可详谈
BFR360F：
晶体管类型 NPN
电压 - 集射极击穿（***大值） 9V
频率 - 跃迁 14GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）1dB @ 1.8GHz
增益 15.5dB
功率 - ***大值 210mW
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（***小值） 90 @ 15mA，3V
电流 - 集电极（Ic）（***大值） 35mA
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-723
供应商器件封装 PG-TSFP-3
SI7121DN：
FET 类型P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）
驱动电压（***大 *** On，***小 *** On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（***大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（***大值）65nC @ 10V
Vgs（***大值） &plu***n;25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（***大值）1960pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（***大值）3.7W（Ta），52W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 *** On（***大值）18 毫欧 @ 10A，10V
工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8
SI5853DC：
FET 类型P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）
不同 Id 时的 Vgs（th）（***大值）1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（***大值） 7.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（***大值） -
FET 功能 肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（***大值）1.1W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 *** On（***大值）110 毫欧 @ 2.7A，4.5V
工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 1206-8 ChipFET™
封装/外壳 8-***D，扁平引线
公司还促销以下型号：
***B380
A3936SED
TCND5000
MI***9300WR
SI4800BDY
BFR360F
BSP135
OPA2227UA
125NQ015
PS7522L
SI7121DN
FDMC8878
SI5853DC
LTM4601V
LT1763CS8-5
AD820ARZ
LTC1645IS8
LT1761ES5-1.8
STM810MWX6F
MAX1544ETL
ADR435BRZ
H***S-282K
STK682-010
ADUM1400ARWZ
PIC18F45K22
MT6595W
以上型号均为我司长期现货供应产品，网上标价持有不确定性，价格请以当天询问为主。如果您想了解更多关于原装现货的产品，欢迎来电咨询！！！