纳仕特-零温度系数安规陶瓷电容-安规陶瓷电容制造厂

按瓷片电容器使用电压可分为高压，中压和低压陶瓷电容器，一般陶瓷电容器和其他电容器相比，具有使用温度较高，比容量大，耐潮湿性好，介质损耗较小，电容温度系数可在大范围内选择等优点，广泛用于电子电路中。

低频瓷介电容器用在对稳定性和损耗要求不高的 场合或工作频率较低的回路中起旁路或隔直流作用，它易被脉冲电压击穿，安规陶瓷电容制造厂，故不能使用在脉冲电路中，高频瓷介电容器适用于高频电路。

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陶瓷电容器用高介电常数的电容器陶瓷挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成，它又分高频瓷介和低频瓷介两种，具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器，零温度系数安规陶瓷电容，那么低频瓷介电容器和高频瓷介电容器有什么区别呢？东莞市纳仕特电子科技有限公司来告诉您。

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合，这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿，高频瓷介电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成“独石”结构，高频瓷介电容器适用于高频电路云母电容器。

东莞市纳仕特电子科技有限公司拥有从韩国，日本，台湾等国和地区引进的生产设备和检测仪器，自动化程度高，生产设备***，检测手段完善，坚持“以客为主，以人为本”的经营理念，竭诚为客户提供满意的产品与服务。

对于便携式摄录机、手机等袖珍型电子产品，需要更加小型化的多层陶瓷电容器产品，另一方面，由于精密印刷电极和叠层工艺的进步，超小型多层陶瓷电容器产品也逐步面世和取得应用，下面东莞市纳仕特电子科技有限公司来给大家讲述一下多层陶瓷电容器。

多层陶瓷电容器伴随半导体器件低压驱动和低功耗化，集成电路的工作电压已由5 V降低到3 V和1.5 V，而电源小型化需要小型、大容量产品以替代体积大的铝电解电容器。为了满足这类低压大容量多层陶瓷电容器的开发与应用，在材料方面，已开发出相对介电常数比BaTiO3高1～2倍的弛豫类高介材料。

东莞市纳仕特电子科技有限公司将不断强化内部管理，建立现代化企业制度，以科技为先导，继续努力向各界推出新产品，竭诚为客户提供满意的产品与服务，致力于塑造公司整体形象的良好声誉。