




电容按照功能分:
1)聚酯(涤纶)电容符号:(CL)电容量:40p--4μ额定电压:63--630V主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路。
2)聚本乙烯电容符号:(CB)电容量:10p--1μ额定电压:100V--30KV主要特点:稳定,低损耗,体积较大应用:对稳定性和损耗要求较高的电路。
3)聚炳烯电容 符号:(CBB)电容量:1000p--10μ额定电压:63--2000V主要特点:性能与聚本相似但体积小,稳定性略差应用:代替大部分云母电容,用于要求较高的电路。
4)云母电容 符号:(CY)电容量:10p--0.1μ额定电压:100V--7kV主要特点:价格较高,但精度、温度特性、耐热性、寿命等均较好应用:高频振荡,脉冲等对可靠性和稳定性较高的电子装置。
5)高频瓷介电容 符号:(CC)电容量:1--6800p额定电压:63--500V主要特点:高频损耗小,稳定性好应用:高频电路。
6)低频瓷介电容 符号:(CT)电容量:10p--4.7μ 额定电压:50V--100V主要特点:体积小,价廉,固态电解电容,损耗大,稳定性差应用:要求不高的低频电路。
7)玻璃釉电容符号:(CI)电容量:10p--0.1μ额定电压:63--400V 主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温(200度)应用:脉冲、耦合、旁路等电路。
8)铝电解电容 符号:(CD)电容量:0.47--10000μ额定电压:6.3--450V主要特点:体积小,容量大,固态电解电容厂,损耗大,漏电大,有极性,安装时要注意应用:电源滤波,低频耦合,去耦,固态电解电容批发,旁路等。
9)钽电解电容符号:(CA)电容量:0.1--1000μ额定电压:6.3--125V主要特点:损耗、漏电小于铝电解电容应用:在要求高的电路中代替铝电解电容 。
10)空气介质可变电容器可变电容量:100--1500p主要特点:损耗小,效率高;可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等。应用:电子仪器,广播电视设备等。
11)薄膜介质可变电容器可变电容量:15--550p主要特点:体积小,重量轻;损耗比空气介质的大。应用:通讯,广播接收机等。
12)薄膜介质微调电容器可变电容量:1--29p主要特点:损耗较大,体积小应用:收录机,电子仪器等电路作电路补偿。
13)陶瓷介质微调电容器可变电容量:0.3--22p主要特点:损耗较小,体积较小应用:精密调谐的高频振荡回路 。
14)独石电容容量范围:0.5PF--10μF 耐压:二倍额定电压。应用范围:广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。独石电容的特点:电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定,耐高温耐湿性好等。
东莞市容强电子科技有限公司主要产品有贴片型固态电容器 、插件型固态电容器 、贴片型铝电解电容器、插件型铝电解电容器, 广泛应用于汽车电子、通讯网络电子、各类电源、家用电器、安防监控、工控设备、计算机板卡等各大领域。
“固态电容的主板更能超”这个说法只能说勉强正确,对超频起决定作用的并不是电容。线路的设计、BIOS的研发,CPU本身体质的好坏以及散热措施都可能决定超频的成败。所以不存在说“将主板上的普通电解电容更换为全固态电容就能提升主板的超频性能”,这种说法完全错误!如果真的要说固态电容对超频的影响的话,那就是由于它拥有更高的耐压和耐温能力,因此对超频后的系统稳定性提供了一定的保障。
东莞市容强电子科技有限公司生产的电解电容具有低漏电,低损耗,长寿命等特点,主要产品有贴片型固态电容器 、插件型固态电容器 、贴片型铝电解电容器、插件型铝电解电容器, 广泛应用于汽车电子、通讯网络电子、各类电源、家用电器、安防监控、工控设备、计算机板卡等各大领域。
电容的作用 通常音频电路中包括滤波、耦合、旁路、分频等电容,如何在电路中更有效地选择使用各种不同类型的电容器对音响音质的改善具有较大的影响。
1.耦合电容 耦合电容的容量一般在 0.1μF ~ 1μF 之间,以使用云母、 陶瓷等损耗较小的电容音质效果较好。
2.前置放大器、分频器等 前置放大器、音频控制器、分频器上使用的电容,其容量在100pF ~ 0.1μF之间,而扬声器分频LC网络一般采用1μF~数10μF之间容量较大的电容,目前分频器中采用CBB电容居多。小容量时宜采用云母。而LC网络使用的电容,容量较大,应使用金属化塑料薄膜或无极性电解电容器,其中无机性电解电容如采用非蚀刻式,则更能获取***音质。
3.滤波电容 整流后由于滤波用的电容器容量较大,故必须使用电解电容。滤波电容用于功率放大器时,其值应为10000μF以上,固态电解电容工厂,用于前置放大器时,容量为1000μF左右即可。当电源滤波电路直接供给放大器工作时,其容量越大音质越好。但大容量的电容将使阻抗从10KHz附近开始上升。这时应采取几个稍小电容并联成大电容同时也应并联几个薄膜电容,在大电容旁以***高频阻抗的上升。
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